VBE的电压在BJT导通后便固定，R2的电压被VBE钳位到0.7V，这是晶体管非线性的结果。除此之外，其他例如基极电流的运算等仍遵循欧姆定律。

欧姆定律一样适合三极管电路, 在放大区为了简化计算量, Ic=βIb, 计算得到的结果不影响精度.

这里适用低内阻钳位高内阻，三极管导通后Vbe电压钳位R2电压

由于晶体管内置晶体管的EB间与电阻R2并联，所以R2也同样外加了0.7V电压。从而可知，R2上有IR2= 0.7V/10KΩ=70μA的电流通过。 当输入电压Vin为3.3V时，因为内置晶体管的EB 间电位差是0.7V，所以电阻R1两端的电压是 3.3V-0.7V = 2.6V 。从而可知，R1上有IR1= 2.6V/4.7KΩ = 553.2uA的电流通过。从而可知，内置晶体管的基极有553.2μA-70μA= 483.2μA的电流通过。这样就可以计算出流过内置晶体管的基极电流。由于三极管正向电压受温度影响，当温度为25℃时，VBE正向电压约为0.7V。温度变化时，温度每上升1℃该正向电压便减小约2.2mV。例如，50℃时约为0.7V- (50℃-25℃)×2.2mV= 0.645V。反之，温度降低到-40℃时约为0.7V+ (25℃- (-40℃))×2.2mV= 0.843V。
对于晶体管，内置电阻R1、R2有±30％上下的偏差，所以要考虑并计算电阻值为最不利的情况。
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欧姆定律适用于任何串并联电路。楼主所举的例子照样实用，只不过实例中的R2处应当看做是和发射极的并联，被晶体管发射极限制电压为0.7V，对于R2来说，他的电流仅仅0.07mA
而这里VIN电流=(3.3-0.7)V÷4.7KΩ≈0.55mA，流经发射极的电流达到了0.48mA。这是欧姆定律不冲突的。
R2用于抗干扰和增加关闭可靠性。如果系统中这样子的电路都能达到0.7V的干扰电压，那就不是省成本那么简单的事了，有时候稳定可靠才是关键。

另外，电路图中R3的取值过大！

欧姆定律和基尔霍夫定律是分析晶体管直流偏置的基础，交流电路也是基于欧姆定律和基尔霍夫定律的。

一种简单的求解饱和点电流的方法是，假设集电极和发射极电路，则Vce=0，Ic=Vcc/R3
这种“假设短路”方法可以用于任何基极偏置电路。集电极电流的最大值等于集电极电源电压除以集电极电阻。这就是欧姆定律在集电极电阻上的应用。
基极电流的计算如下：
      Vbb=R2*Vin/(R1+R2)=10K*3.3/(10K+4.7K)=2.24V
      Ib=(Vbb-Vbe)/R1=(2.24-0.7)/4..7K=0.33mA
这也是欧姆定律

不是很清楚，里面也有u/r=i，也适用吧

你想说个啥，往深了说半导体中的计算就是非线性的，本就不适用欧姆定律，我们为了简化计算才把它认为是线性的