donglw 发表于 2024-9-29 00:40
同单片机学习一样，按照厂家提供的数据手册中提供的经典案例做一款同样的电路，使用示波器观察其波形。

见过网上发布的那些反激电路，不论QR与否，绝大多数都是不配备Rs的，boost电路如果不拿它做APFC，也是多数不加Rs，
而让我感兴趣的，正正就是Rs在反激或boost拓扑中的潜在影响，在Cᴅs被清空的过程中，会透过Rs把源极下拉，从而令Tr提早开通，甚至引发类似正反馈的效应 (如果给Rs並联一个比Cᴅs大三数倍的电容，没准真的会自激起来)。

同单片机学习一样，按照厂家提供的数据手册中提供的经典案例做一款同样的电路，使用示波器观察其波形。

想要在直流环境中震荡，电感(或变压器)只能以DCM模式使用，
电感，是软开关的核心部件，你不DCM的话，无功何以往复运动，Cᴅs何以清空呢对不？ ！
这「谷底」，到底是什么回事呢，原来是管子开通的「时机」，Vᴅ愈小，管子的开通损耗当然也就愈小，
如果是硬开关，管子刚一关断，Vᴅ就飈升至Vʙᴜs甚至更高 (别忘了电感的那个「水锤」效应啊)，而开通时Vᴅ就只能是Vʙᴜs了，
软开关，合格的软开关，不是ZVS就是ZCS，ZVS比较直观，好理解，因为，Vᴅ是直接被外力钳制的，清清楚楚，成功的ZVS，能使Vᴅ跌至零，
而QR跟ZVS，实际上是一路货色，只是，「谷底」不着地，这ZVS就失败了，Tr刚关断时，电感贮能最多，「谷底」自然最低 (别忘了，这是衰减震荡)，所以，Tr若于第一谷开通，管耗(开通损耗)最小，
这是开关电源，不是震荡器，谐振槽路的Q值不会 (也不宜) 太高，所以，这衰减震荡也不会 (亦不应) 太久，能做到ZVS的只有第一谷，愈往后就渐渐变回硬开关了。

这电路的开关管(Tr)是MOSFET，
跟Tr并联的电容(Cᴅs)，既可以是实体元件，也可代表Tr的寄生电容，
源极电阻(Rs)，既是Tr的限流元件，也是执行电流模式所需的检流元件。