传统的低压大电流的一代硅MOS相比有哪些优缺点和异同点？

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发布时间: 2025-1-11 11:36

1.封装小，内阻低，结温高，热阻小，结电容小、Id大，vth小的，这种传统的低压大电流的一代半导体硅MOS和三代半导体氮化镓GAN相比有哪些优缺点和异同点？(比如耐压60V以上，封装小，内阻低，热阻低、结电容小、结温 ...

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