需要指出的是防止反接场效应管的原理其实不是图片中描述的那样,这个电路其实我一直没兴趣,因为分析导通条件是不符合的.它其实是通过体二极管实现目标的,施加压降不会导通.
通过仿真可以验证,不施加压降也可以导通,这就证明是通过体二极管导通的.

短路保护要看负载情况决定,有些负载允许打嗝或延时,有多种措施,保险丝,机械过流开关,三极管检测控制,运放检测控制,有延时和打嗝,检测过流元件有电阻,霍尔,互感器,当然还有所谓的自恢复控制.

NMOS和PMOS的防反接电路设计有哪些区别和好处?图片文字描述很清楚了,用单二极管或用桥堆都会减少压降,这在低压电路中尤其要避免的,用NMOS和PMOS的防反接电路好处可以尽量减少压降和消耗.
通过D16拉低控制端从而Q405、Q5断开，保护后级电路，这是什么原理？如果通过D16拉低则是控制三极管BE电压使得三极管截止,从而控制端从而Q405断开，保护后级电路.