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三极管和pmos损坏

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发布时间: 2025-6-18 16:55

正文摘要:

想问一下用三极管和pmos组合控制5v通断,如果频繁开关三极管和pmos管会容易损坏吗

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ID:146782 发表于 2025-6-29 22:07
如果是5V控制信号,Q9不需要,
ID:56665 发表于 2025-6-23 09:00
rundstedt 发表于 2025-6-18 20:00
那么CPU内部MOS管每秒钟通断40亿次,每年通断多少次提问者会算吗?

365*24*60*60*24*10*10^8次
ID:420836 发表于 2025-6-23 00:38
晶体管和PMOS并非机械开关。频繁使用不会损坏它们,但它们工作的电气条件会影响它们的寿命。
ID:1004920 发表于 2025-6-19 16:20
R56改成10Ω以下,R55=500Ω~1K让9013工作电流5~10mA。你现在的参数估计SI2309会发热。给个10K的信号MOS和三极管都不会损坏。
ID:584814 发表于 2025-6-19 14:23
开关电源中MOS管每秒开关从几十次到几十万次都有,不知道你对频繁的定义是啥
ID:1121801 发表于 2025-6-19 13:49
看你说的频繁开关到底有多频繁,开关频率是多少,选用的PMOS要与开关频率匹配.一般开关频率不高的不容易坏的,这种驱动电路最好是用一个NMOS搭配一个PMOS控制,也就是把Q9换成NMOS,功耗降低了还更耐用
ID:469589 发表于 2025-6-19 09:24
如果是连续的ms级甚至更快的连续开关,
则R55\R56都大了,特别是有点大的负载时,这会导致开关的前沿和后延不够陡,最终MOS管发热损坏,
我有过这样的例子,是R55=10K引起的,改到4.7K以下就好很多,太小了三极管负担重。
ID:1154563 发表于 2025-6-19 08:31
一般不会坏的
ID:654797 发表于 2025-6-19 06:47
不满功率工作,一般不会坏,
ID:1133081 发表于 2025-6-19 06:38
楼主杞人忧天,此电路如果是单片机IO控制且VCC为5V,Q9也是多余的。
ID:1110477 发表于 2025-6-19 04:16
Q8是MOS管的体二极管?
ID:1154525 发表于 2025-6-18 21:22
重点在于降低开关损耗减小R56确保驱动足够调整R58
ID:879809 发表于 2025-6-18 21:17

MOSFET G极静态电阻无穷大,R56多大是完全无所谓的,零都可以。如果从微功耗角度考虑,你还是关心一下R55的阻值吧。
ID:88256 发表于 2025-6-18 20:54

我对mos管不了解,只知道是电压驱动型的,好像很多电路连R56都不用,有用的也在100~200Ω之间,所以,能说一下R56该如何取值吗?
ID:466250 发表于 2025-6-18 20:45
容性负载有一定风险。
ID:879809 发表于 2025-6-18 20:00
那么CPU内部MOS管每秒钟通断40亿次,每年通断多少次提问者会算吗?
ID:69038 发表于 2025-6-18 19:53
R56小了

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