发表于 2025-11-22 11:59
把你的这个电源原理图发过来共享一下行不行

你好，开头第一张图就是。设计参数基本没变，把R18改成100R。调试过了，可以直接用，如果有需要可以讨论。

通过加大栅极电阻，减缓充电的时间。把米勒平台的振铃调成水平就能解决发热问题。

发表于 2025-11-23 10:22
楼主的实验怎么样了啊？分享一下吧？

已经解决了，谢谢各位大佬的指导。今天做个更新

楼主的实验怎么样了啊？分享一下吧？

把你的这个电源原理图发过来共享一下行不行

小鱼的发放 发表于 2025-11-12 12:44
好的，下午将D3更换为fr107.误差放大器试过将电阻增大放大10倍，输出不稳。下午降频试试。变压器引脚这里 ...

从原理图看主绕组跟副绕组是同相的，反激电源的主绕组跟副绕组应该反相。另外变压器主绕组30匝我感觉太少了（半导体材料用氮化镓除外），对200W以下的反激电源来说初级匝数应在50匝以上（经验）。

1109 发表于 2025-11-12 13:31
1、把变压器匝比改到10试试。
2、你的MOS管在导通时，有二次导通现象，先解决这个问题。然后想办法优化电 ...

是的。我也注意到这个问题。二次近乎关断再导通，这个环节开关损耗是非常大的。下午我加大栅极电阻，把米勒效应跟寄生电感造成振荡做了优化，尽量平缓。好像温度是有降下来了。具体我明天得详细测试，才能给出肯定答复。

发表于 2025-11-12 13:40
有经验的前辈们帮忙看看

谢谢。意见都很有用

白水大虾2016 发表于 2025-11-12 15:33
从原理图看主绕组跟副绕组是同相的，反激电源的主绕组跟副绕组应该反相。另外变压器主绕组30匝我感觉太少 ...

噢，原来是这样。学到了。我是按照网上给出的一些思路来计算的。Ae法或AP法选磁芯，原边匝数一般在30-50匝，电感在300-800uH.其实我也没完全搞懂比较适合的在那个区间。

老愚童63 发表于 2025-11-12 12:14
把R18改成10-22Ω看看。有可能是MOS管驱动电流不足导致MOS管进入饱和状态的时间延长而有相当一部分时间处于 ...

谢谢指导。改了，改到10Ω的时候，开关速度加快一半。VGS米勒振荡更大了，发热跟原来差不多。

先把散热加大再说，什么东西也不能在极限值附件工作。另外好像有寄生振荡！需要解决。加上负极性加速三极管，你的管子在米勒效应下管不住了。

1109 发表于 2025-11-12 13:31
1、把变压器匝比改到10试试。
2、你的MOS管在导通时，有二次导通现象，先解决这个问题。然后想办法优化电 ...

从原理图看主绕组跟副绕组是同相的，反激电源的主绕组跟副绕组应该反相。另外变压器主绕组30匝我感觉太少了（半导体材料用氮化镓除外），对200W以下的反激电源来说初级匝数应在50匝以上（经验）。

有经验的前辈们帮忙看看

1、把变压器匝比改到10试试。
2、你的MOS管在导通时，有二次导通现象，先解决这个问题。然后想办法优化电源效率，把效率做到85%以上，温升即可降下来。

发表于 2025-11-12 10:16
追加一条：将变压器4、5脚调换试试。

好的，下午将D3更换为fr107.误差放大器试过将电阻增大放大10倍，输出不稳。下午降频试试。变压器引脚这里是什么问题？如果更换就与原边绕组同步了，现在辅助绕组的接法的是与副边一样的接法，mos导通的时候原边充能，关断的时候放给副边和辅助绕组。

把R18改成10-22Ω看看。有可能是MOS管驱动电流不足导致MOS管进入饱和状态的时间延长而有相当一部分时间处于放大状态

看错了R5,R6

追加一条：将变压器4、5脚调换试试。

63KHZ的频率，D3用1N4007这样的低频管不合适；将C10换成203降低频率试试；变压器高频导磁率太低换一个浅灰色变压器芯试试？变压器耦合缝隙太小造成临界磁饱和。试后反馈一下咱们共同学习一下？

散热器面积太小。

若电路是正常的，MOS管加大面积散热片与风扇