如果用在5K以内817可以的

817的速度跟的上吗

第一个电路缺点：PWM频率受到光耦上限速度的制约，PC817一般速度不会很快，除非你换高速光耦，另外光耦的正向击穿电压一般不会很高超过30V就建议你别用了。优点能够隔离驱动负载，适合不同电源，例如低压驱动高压。
下图一般用于高压高速驱动的，驱动IC输出12V甚至更高的电压驱动NMOS,三极管速度快的甚至能到100M,优点就是速度超快驱动超强，缺点就是驱动IC得用专门的mos管驱动芯片。
你要是只是想用个10k以内的频率点个渐变灯的话，就别研究这些了，一个8050就行了

电路永远不是一成不变的，需要根据不同的应用 以及不同的芯片 设计对应的最合适的电路；  比如 第1图 适合需要电气隔离的应用； 第2图适合高速大功率的应用场景； 没有什么哪个好哪个不好的说法；  假如：图1 只是需要驱动LED， 对于电气隔离没有要求，  如果还应用图1的电路就显得冗余和过渡设计。完全没有必要

光耦能隔离，驱动能力一般，栅极电荷泄放靠47K电阻，关断慢，虽然导通也不咋地。下面的不能隔离，如果有mos驱动器，那没必要接三极管，二极管，串电阻接栅极就行了，驱动能力一般取决于驱动芯片。MOS的GS引脚上的电阻一般用10k的，用于保证无输入的情况下为关断状态。
当然了，点小灯泡是无所谓开关速度的，电流也小，直接用三极管还更简单一些，MOS要考虑Vgsth，所以低压输入(如1.8V)通常不会直接用MOS扩流。用驱动芯片一般都支持TTL输入，输出可以直接驱动MOS或IGBT之类的，能驱动速度和管子大小看驱动的具体型号，一般速度都挺快的，驱动电流也大，通常用来驱动功率MOS。用三极管搭也行，一般是图腾柱驱动和推挽驱动，其实差不多，可以做到驱动模块砖级别的，但驱动速度比较难提升。
总的来说，光耦是用来隔离的，不适合直接驱动大MOS。驱动芯片可以直接驱动MOS，有的驱动芯片还带隔离，一般可以驱动大部分MOS。三极管搭驱动就看手艺了，好的好，烂的烂。

第二张图大功率使用比较好,理论基础正确.

电阻上拉光耦下置会怎样？

上图电路用于非共电源电路，下图电路主要用于高频大功率开关电路，两者侧重点不同，没有优缺点的可比性。