这是关于目前应用最广泛的高通平台的手机射频校准和综测的个人总结的资料,欢迎大家指正。
高通校准和综测
•射频校准的目的
•高通校准流程
•常用缩写
•RF校准
高通校准的演进及方法简介 ESC V4校准介绍 •综测指标介绍
GSM综测指标 WCDMA综测指标 LTE综测指标
射频校准的目的
•每部刚生产出的手机射频特性都各不相同,甚至不符合移动系统的规范;
这是因为: -设计不同 -即使相同的设计,也存在元器件间的差异 •另外每部手机也会随温度和信道频率的不同,改变其射频特性
•为了确保每部手机都能正常工作,并满足射频性能、规范,需测量手机的各种特性;生成补偿值并存储到手机中,即校准。
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•补偿值通过计算得到,一些是在设计中测量,还有一些需要针对各个手机进行测量
设计中得到→计算/特征化NV 项(静态NV) 需要在每个手机中测量→ 测量的NV 项
Qualcomm提供静态NV文件 和QSPR RF 校准测试树 用户校准时,需对参数做适当的修改,并做统计优化
•校准后,格式化的结果将存储在NV存储器
•高通校准流程:
1.生成静态NV:用QRCT的NV tools 将XML格式的NV源文件转换成静态QCN文件; 2.写入静态NV:用QPST将QCN文件写入手机中; 3.用QSPR挑选适当的RF校准树(.xtt 文件),对手机进行校准; 4.将校准后的值写入到手机相应的NV中.
信号名 | 英文全称 | 中文全称 | 名词解释与功能描述 | ACLR | Adjacent Channel Leakage Ratio | 邻道泄露比 | 3G,4GTX中心载波外的频谱幅度 | APT | Average power tracking | 平均功率跟随 | 根据平均功率的大小,调节射频功放的供电电压 | CA | Carrier aggregation | 载波聚合 | 同时接收或发射多个载波,提高数据传输速率 | DPD | Digital predistortion | 数字预失真校准 | 校准GSM edge 高功率段PA的输出 | DVGA | Digital Variable Gain Amplifier | 数字可变增益放大器 | 补偿接收路径的增益和损耗的偏移 | EFS | Embedded file system | 嵌入式文件系统 | NV的扩展 | ESC V4 | Enhanced Sweep Calibration | 第4版增强型扫描校准 | 高通的校准方法 | EVM | Error Vector Magnitude | 误差矢量幅度 | 3G,4GTX信道内中心载波的波形误差 | ICQ | PA quiescent current | PA静态电流 | PA校准指标 | NV | NonVolatile memory | 非易失性存储器 | 存储的内容即使掉电也不会丢失 | ORFS | Output Radio Frequency Spectrum | 输出射频频谱 | GSM中心载波外的频谱幅度 | PCL | power control level | 功率控制等级 | GSM 5~19,DCS/PCS 0~15 | QCN | QTI combined NVs | 高通组合NV项 | 高通存储RF NV项的文件 | QSC V5 | Qualcomm Single Chip V5 | 高通单芯片校准第5版 | 最新的高通的校准方法,用于ATLAS Modem平台 | RB | Resource block | 资源块 | LTE中业务资源占用带宽的单位 | RGI | Relative gain index | 相对增益指数 | 控制PA的发射功率的大小 | RSB | Residual sideband | 残余边带 | 由接收器的IQ不平衡引起 | SSS | Start stop step | 开始停止及步长 | 扫描校准的起始点及步长 | WWAN | Wirless wide area network | 无线广域网 | 指移动网络 | XO | Crystal oscillator | 晶振 | 提供BB,RF时钟 |
高通校准的演进及方法简介
•ESCV3开始,高通导入sweep的概念 ESC(enhancesweep calibration),校准时间有很大提升,这个算法在WTR1605之后开始采用,校准参数仍然在xtt里修改,同时APT技术也开始采用
•ESCv4,也就是现阶段的算法,在ESCV3进行扩展(opcode)效率和V3差别不大,同时V4开始支持XPT、Fbrx/Rx rsb、CA等新的校准内容。
•3/4gTx 校准
Tx的校准也就是针对PA发射的调校。市场的PA都有增益等级,每个增益等级有相应的发射功率范围。最终能满足最大功率到最小功率的发射范围。
高通在TX发射校准无外乎就是把发射链路的最大功率和最小功率区间特性写入手机。让手机软件工作起来知道发多大功率需要怎么处理。
PA的控制增益过程:高通早期称为pa_range,因为那时PA都是GPIO控制,后面出现了MIPIPA,开始引入PAstate的概念。那么无论是PArange 和PAstate 都代表PA的增益等级。常见的PA都是2态等级,支持APT。其中PA1/PA0分别为PA的高/低功率范围。
•V2时控制发射的叫PDM,所以校准时会设定一个起始PDM ,一个步进(step)然后设置信道,PA等级,开始做扫描这样就得到参考信道的一组数据,PDM VS power 关系,然后把这个数据写到手机里。
V3/V4和V2一致,也需要定义起始, 这里控制的叫RGI。
•每个PAstate下都要扫出一张表,即RGI vs POWERvs Vbias(PA偏置电压APT)/Icq 。一般会需两次扫描完成,即在全偏置电压,一般3.7v,即3700下扫描出fullbias(Fixed)的表,然后再把这个表插到char表里找到最优的PAbias进行可变偏压,即APT的扫描。
•HDET:第三次扫描时,会测量最大功率时TX和HDET的频率特性,校准达到TX功率输出上限时,手机自己的功率检测精度。
3G/4G--RX 校准:测量每个LNA状态的增益偏差,然后用DVGA去补偿 C0/C2: WCDMA,LTE的主发射接收通路(PrimaryRX and TX),仅IQ通路不同 C1/C3: WCDMA,LTE的分集接收通路(Diversity),仅IQ通路不同
GSM --Tx校准 GSM Tx 校准分为DA和pre-dist预失真校准。
DA校准时设置PArange 开启扫描,RGI从31 ~1,同时会扫描出8psk,GMSK数据。
Pre-dist 校准仅针对edge 大功率模式,所以也只会在最大PA功率模式做
GSM--Rx 校准:测量接收器特性,然后为准确的RSSI读数补偿信号损耗
QSCV5: 高通最新的校准方案 高通全新的QSCV5校准方法,用于最新的MSM8998,SDM660/630平台,Modem 代号Atlas 其中Moto 最新模块旗舰机GoldenEagle用MSM8998,最新MotoX –Ibis用SDM630,这两种手机采用QSCV5校准,其余均采用ESC V4校准 校准步骤: 1.内部器件校准 2.XO 校准 3.每个频段的QSC 校准; 首先是仪器连接扫描(connected sweep ),用来校准FBRx的硬件、软件增益和温度读数;RxLNA增益的偏差;及新增的依赖于频率的RX残余边带校准Frequency-dependent(FD)Rx RSB for LTE。 4.然后是手机的自扫描(unconnected sweep,不连接任何测试仪器 ),手机根据自己的的功率检测值( FBRx )校准TX的RGIvsPWRvsAPT曲线和温度读数。 5.GSMTX校准,仍然是V2; 6.GSMRx 校准,仍然是V2; 7.在Atlas里, 除GSMNV 由校准工具写入外, 其它的宽带测量NV ,会在每个频段的QSC校准完成后,由手机自己写到EFS中(embedded file system,嵌入式文件系统,传统NV的扩展)。
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