wulin 发表于 2021-1-19 09:48 楼主位的电路主干的结构是完全没问题的,全都正确。 Q5的DS反偏也是可以导通的,只要G高于S一定电压即可。内部寄生二极管有两大严重问题,一是导通电压过高影响效率,二是存储效应导致从导通到截止的恢复时间过长。寄生二极管可以在Q5导通前临时当续流二极管来用,Q5导通后寄生二极管两端电压低于饱和电压,恢复到截止状态,这样Q5断开时寄生二极管已经截止,不存在存储效应造成的短时间短路。 同步整流技术就是因为现在芯片工艺越来越小,电源电压越来越低,整流/续流二极管的压降成为影响效率越来越刺眼的因素,用MOSFET替代二极管,利用导通电阻小的特长来提高效率。 楼主的电路也可能有问题,主要是两个管子翻转的瞬间会不会有什么问题。但是这些我的能力已经分析不出来了,只能让楼主自己建立真实的电路来实际测量才会知道。 |
這是3408同步整流結構: 注意零點檢測器,就是過零檢測電路。 |
用mos代替二極管,必須加電流過零檢測,及時關斷反向電流。若沒有過零檢測電路,電感反向電流會通過mos泄流,最終結果是mos發熱很快燒燬,電路損壞。這個過程中即使沒有燒燬,效率非常低,電壓大幅度波動。效率是絕對低於二極管的,效率可能會低於50% 或10%,也有可能到1%的效率甚至0%。 |
黄youhui 发表于 2021-1-19 10:30 MOS管内部的二极管不是用于防止击穿的,也不是为了防止DS接反保护用的。是其制作工艺所形成的寄生物。其反向击穿电压与VDS击穿电压等同。如果Q5改变DS方向接入电路将发生灾难性后果。 |
wulin 发表于 2021-1-19 09:48 我和楼主的mos管都放错方向了,mos管内部的二极管应该是和电流导通方向相反的,用于防止击穿的。置于您说的回流,除非放电比充电快不然的话,GND不能回流到电感吧。 |
NPN和PNP导通的条件是Ube的电压满足一定的值,你这样让Q9的Ube怎么低于0.7,(Ube不是Ueb),你还是加个上拉电阻吧,然后计算分压,让Q9能够的Ube能够在MCU_IO输出低电平时分压低于0.7 |
kadiya 发表于 2021-1-18 14:43 楼主设计的电路图来源于经验证过的原电路图,只是把续流二极管换成了NMOS。当Q2、Q5的G极公共接点低电位时Q2导通,Q5截止,通过L蓄能并向负载供电,L左正右负。当G极高电位时Q2截止,L左负右正。Q5的DS反向偏置,G极电位高低对Q5没有意义,其内部寄生二极管正向导通可以完成续流。那么二极管换成了NMOS管的意义何在??? |
黄youhui 发表于 2021-1-18 15:48 或者将Q9换成三极管。 |
本帖最后由 kadiya 于 2021-1-19 07:41 编辑 谢谢,您这个电路图设计的很专业,Q8的2k电阻能否去掉,这样开关是不是会更快一点。 |
kadiya 发表于 2021-1-18 14:43 你的电路图应该是这样的吧。 MCU高电平时,拉低电压N_MOS管Q9导通,NPN管Q6关闭,将+12电压接到Q8和Q7的栅极上,然后Q7导通,Q8关闭。 MCU低电平时,拉高电压N_MOS管Q9关闭,NPN管Q6导通,将GND电压接到Q8和Q7的栅极上,然后Q7关闭,Q8导通。 |
搞不懂这个电路干吗用的! |
这个电路其实就是用nmos代替二极管,怎么不能用。 |