本帖最后由 codenew 于 2014-10-6 22:42 编辑
下面程序是我从别的地方搞来的，最后发现很多错误。为了避免误人子弟，特地作了一下分析，开头部分for分析是我写的，程序中红色的部分我是加上去的。
在软件仿真环境下，把晶振改成12.0Mhz，C51标签代码优化设为0，见图附件，测得for语句的延时为：
for(time=0;time<1;time++); //15us for(time=0;time<2;time++); //23us for(time=0;time<3;time++); //31us for(time=0;time<4;time++); //39us for(time=0;time<5;time++); //47us for(time=0;time<6;time++); //55us for(time=0;time<7;time++); //63us for(time=0;time<8;time++); //71us for(time=0;time<9;time++); //79us for(time=0;time<10;time++); //87us for(time=0;time<20;time++); //167us for(time=0;time<60ime++); //487us for(time=0;time<70ime++); //567us for(time=0;time<80ime++); //647us for(time=0;time<100;time++); //807us for(time=0;time<200;time++); //1607us 由上可看出，成等差数列，公差d=8。一般地，如果n>m，an=am+8*(n-m)。
/***************************************************** 函数功能：将DS18B20传感器初始化，读取应答信号 出口参数：flag ***************************************************/ bit Init_DS18B20(void) { bitflag; //储存DS18B20是否存在的标志，flag=0，表示存在；flag=1，表示不存在 DQ= 1; //先将数据线拉高 for(time=0;time<2;time++);//略微延时约6微秒。实际是延时23us。 DQ= 0; //再将数据线从高拉低，要求保持480~960us for(time=0;time<200;time++);//略微延时约600微秒,以向DS18B20发出一持续480~960us的低电平复位脉冲。实际是延时1607us，重大错误，都超过960us了。 DQ= 1; //释放数据线（将数据线拉高） for(time=0;time<10;time++);//延时约30us（释放总线后需等待15~60us让DS18B20输出存在脉冲）。实际是延时87us，延时多过60us，反而能保证读到存在脉冲，这点误撞了。 flag=DQ; //让单片机检测是否输出了存在脉冲（DQ=0表示存在） for(time=0;time<200;time++); //延时足够长时间，等待存在脉冲输出完毕 return(flag); //返回检测成功标志 } /***************************************************** 函数功能：从DS18B20读取一个字节数据 出口参数：dat ***************************************************/ unsigned char ReadOneChar(void) { unsignedchar i=0; unsignedchar dat; //储存读出的一个字节数据 for(i=0;i<8;i++) { DQ=1; //先将数据线拉高 _nop_(); //等待一个机器周期 DQ= 0; //单片机从DS18B20读书据时,将数据线从高拉低即启动读时序 dat>>=1; _nop_(); //等待一个机器周期 DQ= 1; //将数据线"人为"拉高,为单片机检测DS18B20的输出电平作准备 for(time=0;time<2;time++);//延时约6us，使主机在15us内采样。实际是延时23us，超过了15us。 if(DQ==1) dat|=0x80; //如果读到的数据是1，则将1存入dat else dat|=0x00;/如果读到的数据是0，则将0存入dat,将单片机检测到的电平信号DQ、r for(time=0;time<8;time++);//延时3us,两个读时序之间必须有大于1us的恢复期。实际是延时71us。思路根本不对，读时隙至少延时60us，这里又误撞对了，把至少延时和读时隙间隔至少1us都包含进了。 } return(dat); //返回读出的十进制数据 } /***************************************************** 函数功能：向DS18B20写入一个字节数据 入口参数：dat ***************************************************/ WriteOneChar(unsigned char dat) { unsignedchar i=0; for(i=0; i<8; i++) { DQ=1; // 先将数据线拉高 _nop_(); //等待一个机器周期 DQ=0; //将数据线从高拉低时即启动写时序 DQ=dat&0x01; //利用与运算取出要写的某位二进制数据,并将其送到数据线上等待DS18B20采样 for(time=0;time<10;time++);//延时约30us，DS18B20在拉低后的约15~60us期间从数据线上采样。实际是延时87us。 DQ=1; //释放数据线 for(time=0;time<1;time++);//延时3us,两个写时序间至少需要1us的恢复期 。实际是延时15us。 dat>>=1; //将dat中的各二进制位数据右移1位 } for(time=0;time<4;time++);//稍作延时,给硬件一点反应时间。延时39us。 } /***************************************************** 函数功能：做好读温度的准备 ***************************************************/ void ReadyReadTemp(void) { Init_DS18B20(); //将DS18B20初始化 WriteOneChar(0xCC); // 跳过读序号列号的操作 WriteOneChar(0x44); // 启动温度转换 for(time=0;time<100;time++);//温度转换需要一点时间。延时807us。 Init_DS18B20(); //将DS18B20初始化 WriteOneChar(0xCC);//跳过读序号列号的操作 WriteOneChar(0xBE);//读取温度寄存器,前两个分别是温度的低位和高位 } /***************************************************** 函数功能：延时若干毫秒 入口参数：n ***************************************************/ voiddelaynms(unsigned char n) { unsigned char i; for(i=0;i<n;i++) delay1ms(); } 照理说void delaynms(unsigned char n)，参数n的取值范围是0~255，因是是无符号数。但在主函数中却调用delaynms(1000)，明显错误，超出取值范围。 | 
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看不懂呀，有完整程序啊
完整的有吗？
