场效应晶体管(FET)简称场效应管，利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。有结型场效应三极管JFET和绝缘栅型场效应三极管IGFET之分。1960年Dawan Kahng发明了金属氧化物半导体场效应晶体管，从而大部分代替了JFET。而目前大家听的最多的MOSFET其实就是IGFET。南电森美为北京南电科技分公司，经营产品种类繁多，二三极管、整流桥、集成电路、MOS管以绝缘材料等均可提供，下面就由小编告诉大家场效应管常用型号及相关参数。
74HC595
74HC595是硅结构的CMOS器件，兼容低电压TTL电路，具有速度快、功耗小、操作简单的特点。595具有8位移位寄存器和一个存储器，三态输出功能。8位串行/串行或并行输出移位寄存器，在电子显示屏制作中有广泛的应用。三态分别为高阻、关、断状态。
2N7002
2N7002为N沟道增强型场效应晶体管，漏极电流Id 最大值为280mA，电压,Vds 最大为60V。
IR2113
IR2113由低端功率晶体管驱动级、高端功率晶体管驱动级、电平转换器、输入逻辑电路组成。它把驱动一高压侧和一低压侧MOSFET或IGBT所需要的绝大部分功能集成在芯片内。 可以根据自举原理工作或加一浮动电源，外围电路简单。
2SK1336
2SK1336N沟道场效应管，为高速电源开关管，具有低导通电阻，适用于电机驱动及DC-DC控制。
IRC540
IRC540为N沟道MOSFET，导通电流为28A ，Vdss为100V ，导通电阻为0.077Ω，具有快速开关、驱动简单等特点。
AO3400
AO3400为N沟道增强型的MOSFET，主要用于高密度电池设计，适用于超低导通电阻。
IRF3710
IRF3710为N型场效应管。IRF3710的HEXFET功率场效应管采用先进的工艺技术制造，具有极低的导通阻抗。IRF3710这种特性，加上快速的转换速率，和以坚固耐用著称的HEXFET设计，使得IRF3710成为极其高效可靠、应用范围超广的器件。漏极电流Id最大值为59A，电压Vds最大为100V。
南电科技从事电子元器件代理分销与制造，这些常用型号都是有现货库存的，而且保证原装正品，主推KEC、HTC-KOREA、MAPLESEMI、ON、COMONN等品牌，如果有需要，可以联系我们。
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