请教6个关于51单片机和数字逻辑电路的问题。

ID:809346 · 发表于 2020-8-11 16:39

1、VCC、VSS、VDD、VEE之间到底有何区别？网上流传的版本太多，越看越糊涂。VCC、VDD是不是一般表示正电源？那二者有何实际区别？VEE、VSS是不是一般表示负电源？同样二者有何实际区别？
2、数字逻辑电路里，什么样的寄存器是电平触发？什么样的寄存器是边沿触发？什么样的锁存器是电平触发？什么样的锁存器是边沿触发？
3、标准的8051单片机的P0口内部，一共有多少个锁存器？1个还是8个？
4、标准的8051单片机，一共有哪些地方要用硬件置1，哪些地方要用软件置1，哪些地方要用硬件清0，哪些地方要用软件清0？我只记得太多太多了，特别是很多细微的标志位、状态位、控制位，特别容易混淆。
5、锁存器是不是也分D锁存器？T锁存器？等等。
6、标准的8051单片机，哪些寄存器可以用作基址寄存器？哪些寄存器可以用作变址寄存器？

ID:401564 · 发表于 2020-8-11 17:15

你一口气问这么多问题,是不打算看书了吗?我敢保证不去翻资料就完全问答你问题的,应该是没有几个的
你问的所有问题,回答你都是没有意义的,因为你也不理解,理解的人是不需要问这种问题的
你要做的是:学会看数据手册,你问的问题都可以看数据手册中得到答案
"基址寄存器",我用了四年的8051汇编,但我不知道这是个什么东西

ID:654028 · 发表于 2020-8-11 17:21

把我问懵了，但是我知道第4个问题应该是datasheet上有写的

ID:429003 · 发表于 2020-8-13 14:22

感觉更像是掉进了一个死胡同，一直钻牛角尖而找不到出来的路！
好比当初的我有这样一个疑惑，一句 P0 = 0xFF，就可以将开发板上8个灯点亮，
难以理解的是一句代码怎么能够影响硬件的IO输出电平状态，然后各种搜索、查阅资料，看得越多感觉越复杂，越难理解~~~！！！

归根结底，一句话，钻牛角尖了！
（张三，为什么叫张三，你不要去问，别人也无法回答，你只需要知道你需要知道的东西，比如他是男是女，多大年纪，有无对象..... .....

）

ID:158375 · 发表于 2020-8-13 16:24

这里不是免费课堂哦，自己去看数据手册。

ID:47286 · 发表于 2020-8-13 16:31

你干嘛不好好看书呢

ID:155507 · 发表于 2020-8-13 22:31

在电路图和电路分析中，关于电压，电流和某些组件的命名存在长期的惯例。在双极性晶体管的分析中，例如在常见的发射极配置中，集电极，发射极和基极（相对于地）的DC电压可以分别记为VC，VE和VB。

与这些晶体管端子相关联的电阻器可以指定为RC，RE和RB。为了产生直流电压，除这些电阻器或其他组件（如果存在）以外的最远的电压通常称为VCC，VEE和VBB。

在实践中，VCC和VEE然后分别引用公共NPN晶体管电路中的正电源线和负电源线。请注意，在等效的PNP晶体管电路中，VCC为负，而VEE为正。

场效应晶体管的漏极，源极和栅极端子完全采用类似的惯例。这导致在更常见的电路配置中，由标为VDD和VSS的电源电压产生VD和VS。

等效于NPN和PNP双极之间的差异，对于n沟道FET和MOSFET，VDD相对于VSS为正电压，而对于基于p沟道FET和MOSFET的电路，VDD为负电压。

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