单片机控制MOS管

ID:956872 · 发表于 2021-10-16 09:55

单片机用STC8G系列的，供电电压在1.9-5.4V之间。该怎么驱动VGS10V的mos管，用自举电路好还是升压模块那种升压电路好？还是别的？
还有这1.9V的电压下，输出也是1.9V，算高电平吗，高电平不是2.4V以上吗。

ID:624769 · 发表于 2021-10-16 13:10

mos管自行上拉到mos管需要的高电平, 单片机开漏模式,驱动MOS管（记得加限流电阻），即单片机只管给低电平，高电平让mos管那边的上拉电阻自行负责。

ID:123289 · 发表于 2021-10-16 14:34

1、学习太死板，逻辑上的电平高低是为了划分1、0。所以它是相对的。认为2.4V以上是高，太狭隘了！
例如：在一个1.8V的系统中，CPU电源电压是1.8V，哪里会有2.4V的电压，岂不是全部低电平了，如果定义2.4V为高电平还有何意义。记住：不同的系统对于高低电平的定义是不同的。
2、你的系统供电电压在1.9-5.4V之间，如果开通MOS管需要10V，你是无法驱动MOS的，所以必须给出一个高于10V的电源。用单片机驱动一个NPN的三极管，再用三极管驱动MOS。驱动三极管大于0.7V即可，单片机能办到。三极管加10v以上的电压，它驱动MOS就成了。

ID:213173 · 发表于 2021-10-16 16:14

VGS10V的MOS管，这只是手册中的测试电压，实际使用还要看VGS阈值电压和极限电压。低电压驱动的MOS管很多。

ID:491875 · 发表于 2021-10-16 16:23

可以考虑使用低GS驱动的MOS管，如3400系列，2300系列或者复合管

ID:517951 · 发表于 2021-10-16 17:22

有些mos需要驱动栅极电压较高，10v，高于单片机的5V vdd，需要用三级管扩展电压来驱动MOS管。

ID:319585 · 发表于 2021-10-16 17:39

楼主是要低端驱动还是高端驱动？低端的话三极管，光耦就可以了。高端驱动的话，必须要自举电容。现在也有自带电荷泵的nmos就不需要自举电容了。

ID:956872 · 发表于 2021-10-16 21:38

188610329 发表于 2021-10-16 13:10
mos管自行上拉到mos管需要的高电平, 单片机开漏模式,驱动MOS管（记得加限流电阻），即单片机只管给低电平， ...

是用Pmos吗

ID:956872 · 发表于 2021-10-16 21:42

liesnake 发表于 2021-10-16 17:39
楼主是要低端驱动还是高端驱动？低端的话三极管，光耦就可以了。高端驱动的话，必须要自举电容。现在也有自 ...

啥是低端驱动和高端驱动。我是想驱动VGS10V的NMOS，大电流的。自举电路跟升压电路有哪个驱动比较好

ID:956872 · 发表于 2021-10-16 21:45

liesnake 发表于 2021-10-16 17:39
楼主是要低端驱动还是高端驱动？低端的话三极管，光耦就可以了。高端驱动的话，必须要自举电容。现在也有自 ...

我看有个帖子，用升压模块升压，再用单片机控制光耦TLP250来控制MOS的开关

ID:319585 · 发表于 2021-10-16 22:35

mos管接电源正极的话，需要自举电容。mos管接地，不需要电容

ID:339654 · 发表于 2021-10-26 23:01

需要一个升压电路，用三极管做推挽电路进行驱动

ID:420836 · 发表于 2021-10-27 09:22

驱动一个 NPN 晶体管，然后以更高的电压进一步驱动 mosfet。

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