独立按键的安全问题

ID:349276 · 发表于 2026-2-10 20:20

我看大多数人的独立按键，都是按下直接接地，如果按下的时候，代码向这个io口输出1，是不是就烧坏了？那么，安全的独立按键，应该怎么设计呢？大师们讨论下，开阔下思路，谢谢。

ID:624769 · 发表于 2026-2-15 22:33

就51单片机而言，你吧所有IO都直接接地，你向这个IO输出1，都不会烧坏单片机。但反过来，你把IO接VCC，然后向这个IO输出0，是可以烧坏单片机的。这也是单片机的基础教程之一“所有IO可以被外部拉低，但不可以被外部拉高，所以读外部电平时IO必须设置为1”

ID:1155837 · 发表于 2026-2-13 00:42

一般来说按键的IO都是高阻模式，就算写1，io也没反应，就算不小心切到了推挽，也没事，io口内阻在20欧以上，短接到地不会直接损坏。而且按键设计中一般是低电平代表按下最可靠，如果你真的担心这个，大不了就启用片内上拉，然后按键用100欧电阻接地

ID:1155837 · 发表于 2026-2-13 00:39

单片机的IO口存在一个不小的内阻，STC的51单片机大约20欧左右，即使在推挽输出高电平也不会烧坏。

ID:584814 · 发表于 2026-2-12 12:36

印象中用STC的51单片机乱接一气也没烧，但会严重发热且没烧坏。

ID:1109793 · 发表于 2026-2-12 08:55

万家灯火51 发表于 2026-2-11 15:45
仿真试了下，10欧可以拉低到低电平，再大按不按，输入都是高电平了。但实际器件没有测可以大到欧。

实际上准IO是大概50K上拉，意味着只要小于50K差不多就行，比如10K肯定可以拉下来虽然拉不到0V，所以1K以下应该都没问题。当然开启内部4.1K上拉的话，用1K应该也可以被识别为0
如果是推挽模式那就不行了，可能真要10欧以下了。

ID:69038 · 发表于 2026-2-11 16:08

准双向口是51系列单片机中P1、P2、P3端口的电路结构特性，具有固定内部上拉电阻的I/O端口类型。其作为输入时需先向端口锁存器写入高电平以断开下拉电路，外部低电平信号会引发拉电流；
作为输出时可直接写入数据无需方向寄存器设置，输出高电平由内部上拉电阻实现。
与真双向口相比，准双向口不具备高阻态且输入高电平由内部电路提供。
P1口为单功能准双向口，P2口可复用为高8位地址总线，P3口兼具通用I/O和第二功能复用特性，每个口可独立控制。
P0口在通用I/O模式下需外接上拉电阻，总线模式下呈真双向特性。
四个端口字节地址分别为80H、90H、A0H、B0H，其中P0口采用开漏输出结构且驱动能力为其他端口两倍。
P1-P3口每位可驱动4个LS型TTL负载。
准双向口输出低电平时可吸收20mA电流，输出高电平时驱动能力较弱。
在现代增强型51单片机（如STC8系列）中，准双向口可通过软件配置为准双向口、推挽输出、开漏输出和高阻输入四种工作模式之一。

这段文字你看一下，重点看一下红色下划线部分。

ID:349276 · 发表于 2026-2-11 15:45

wpppmlah 发表于 2026-2-11 09:01
串接100-300欧姆的电阻到IO，不加电阻的一般没有问题，二般的就不好说了。

仿真试了下，10欧可以拉低到低电平，再大按不按，输入都是高电平了。但实际器件没有测可以大到欧。

ID:1144680 · 发表于 2026-2-11 10:53

只要不是自锁接地不会有什么问题。

ID:68189 · 发表于 2026-2-11 09:01

串接100-300欧姆的电阻到IO，不加电阻的一般没有问题，二般的就不好说了。

ID:1109793 · 发表于 2026-2-11 08:53

事实上就算设为推挽模式，也烧不坏单片机的。只是功耗变大一些

ID:1064915 · 发表于 2026-2-11 08:39

单片机是控制，没有烧坏能力

ID:1133081 · 发表于 2026-2-11 07:51

MCU的IO口在准双向模式下输出电流是受限的，当端口在高电平时被外电路拉低，由于输出电流受限不会因此烧坏。所以代码向这个IO口赋值1，如果按下按键，MCU读此IO口为0即判断键按下。

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