模电第一张的总结。
详细的散知识点
本征半导体（导电性能差，温度稳定性差）
杂质半导体 （导电性能由掺杂浓度人为可控）
N型（自由电子）P型（空穴）半导体，载流子的有序运动（扩散与漂移）
PN结的单向导电性，反向击穿特性（高掺杂时齐纳击穿，低掺杂时雪崩击穿），温度特性（正向电流具有正温度系数，正向压降具有负温度系数，由正向势垒高度降低导致，反向电流具有正温度系数，由少子浓度增大导致），电容效应（势垒电容与扩散电容（正向电压），高频）电流方程（i=Is(equ/kT -1),其中q/kT=UT≈26mV（300K温度））
半导体二极管（PN结封装并引出电极，主要参数（最大整流电流IF(有效值),最高反向工作电压UR(瞬时值)，反向电流IR，最高工作频率fM(结电容)）三种等效电路（理想二极管（指数关系），常用模型（U=UOn）,精确模型（线性关系）），稳压二极管（反向击穿特性），发光二极管，光电二极管）
晶体三极管（截止区，放大区，饱和区。基极电流分流损失小信号，发射结正向偏置，集电极反向偏置时具有电流放大作用，发射区多子的扩散运动形成IE，基区非平衡少子与多子的复合运动形成基极电流IB，集电结少子的漂移运动形成Ic，共射特性曲线（输入特性曲线（随集射电压UCE的增大而右移），输出特性曲线），主要参数（β（共射电流放大倍数），α（共基电流放大倍数），ICBO与ICEO（极间反向电流），ICM（最大集电极电流），U（BR）CEO（极间反向击穿电压），PCM（最大集电极耗散功率），fT（特征频率，共射电流放大系数下降到一）））
场效应管（夹断区，恒流区，可变电阻区，击穿区。结型与绝缘栅型，利用栅源之间外加的电压所产生的电场来改变导电沟道的宽窄从而控制多子漂移运动所产生的漏极电流iD，主要参数（gm（低频跨导表示uGS对iD控制作用的强弱，gm=ΔⅈD/(ΔU_Gs )|Uds=常数），UGS（th）（增强型MOS管的开启电压），UGS（off）（结型场效应管和耗尽型MOS管的夹断电压），IDSS（对于结型场效应管在UGS=0时产生预夹断时的饱和漏极电流），IDM（最大漏极电流），U（BR）DS（恒流区漏源击穿电压，对于结型场效应管使栅极与沟道间的PN结反向击穿的uGS为栅源击穿电压，对于绝缘栅型场效应管使绝缘层击穿的uGS为栅源击穿电压），PDM（最大耗散功率），极间电容）电流方程(结型场效应管(iD=IDSS(1-u_Gs/u_Gs(off) ))绝缘栅型场效应管(iD=IDO(u_GS/(⋃_Gs▒(th) ) -1)[IDO为uGS=2UGS(th)时的iD]))）
VMOS管（散热性能好，可制成大功率管）
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