技术参数
| 品牌： | VISHAY/威世通 | | 型号： | SI2308BDS-T1-GE3 | | 批号： | 19+ | | 封装： | SOT-23 | | 数量： | 12078 | | QQ： | 2355239042 | | 制造商： | Vishay | | 产品种类： | MOSFET | | RoHS： | 是 | | 技术： | Si | | 安装风格： | SMD/SMT | | 封装 / 箱体： | SOT-23-3 | | 通道数量： | 1 Channel | | 晶体管极性： | N-Channel | | Vds-漏源极击穿电压： | 60 V | | Id-连续漏极电流： | 2.3 A | | Rds On-漏源导通电阻： | 156 mOhms | | Vgs - 栅极-源极电压： | 10 V | | Vgs th-栅源极阈值电压： | 1 V | | Qg-栅极电荷： | 6.8 nC | | 最小工作温度： | - 55 C | | 最大工作温度： | + 150 C | | Pd-功率耗散： | 1.66 W | | 配置： | Single | | 通道模式： | Enhancement | | 商标名： | TrenchFET | | 封装： | Cut Tape | | 封装： | MouseReel | | 封装： | Reel | | 系列： | SI2 | | 晶体管类型： | 1 N-Channel | | 商标： | Vishay Semiconductors | | 正向跨导 - 最小值： | 5 S | | 下降时间： | 7 ns | | 产品类型： | MOSFET | | 上升时间： | 10 ns | | 工厂包装数量： | 3000 | | 子类别： | MOSFETs | | 典型关闭延迟时间： | 10 ns | | 典型接通延迟时间： | 4 ns | | 零件号别名： | SI2308BDS-GE3 | | 单位重量： | 8 mg
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si2308bd.pdf
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