关于NMOS+PMOS控制电池电压输出

ID:668004 · 发表于 2021-9-24 19:13

1.在MCU_CTL给高电平的时候，Q5、Q1导通，BAT_OUT输出电池电压3.7V，这个没问题

2.在MCU_CTL给低电平的时候，Q5、Q1截止了，为什么BAT_OUT输出还是有0.2V左右，是什么原因？如何改善这个bug

3.按照PMOS体二极管的内部结构，由D→S，所以S接的是BAT，这个接法是正确的

ID:752974 · 发表于 2021-9-26 08:40

电路没有问题，MOS做开关用，在截止时不是完全的断开，是有一个电阻存在的，只是这个电阻很大，注意，是很大，不是完全断开。当负载的等效阻抗很大时，就会有问题出现：分压！！！

ID:810165 · 发表于 2021-9-26 09:13

Q5的D 和Q1的G之间加一个K级或者再小一点的电阻会更好，要不实际使用中会有问题

ID:668004 · 发表于 2021-9-26 18:40

munuc_w 发表于 2021-9-26 08:40
电路没有问题，MOS做开关用，在截止时不是完全的断开，是有一个电阻存在的，只是这个电阻很大，注意，是很 ...

那如何避免呢

ID:668004 · 发表于 2021-9-26 18:41

mayouzhen2008 发表于 2021-9-26 09:13
Q5的D 和Q1的G之间加一个K级或者再小一点的电阻会更好，要不实际使用中会有问题

这个电阻貌似不是必须要加，能说说你的思路吗？为什么一定要加

ID:668004 · 发表于 2021-9-26 19:11

D和S之间漏电很小的MOS 大家有没有推荐

ID:879348 · 发表于 2021-9-27 10:40

设计不合理，半导体都有漏电流，而且随着温度升高增大

ID:668004 · 发表于 2021-9-27 15:03

munuc_w 发表于 2021-9-26 08:40
电路没有问题，MOS做开关用，在截止时不是完全的断开，是有一个电阻存在的，只是这个电阻很大，注意，是很 ...

1.有很多人让我把R5改成100K（那样Q5就更耗电了，那改小干嘛）

2.也有人说在Q5的D和Q1的G极之间要加一个电阻

3.也有人说在Q5的极对GND之间要加一个下拉电阻

以上三点，你觉得有必要不

ID:668004 · 发表于 2021-9-27 15:03

mayouzhen2008 发表于 2021-9-26 09:13
Q5的D 和Q1的G之间加一个K级或者再小一点的电阻会更好，要不实际使用中会有问题

为什么要加说下你的考虑

ID:668004 · 发表于 2021-9-27 15:04

wufa1986 发表于 2021-9-27 10:40
设计不合理，半导体都有漏电流，而且随着温度升高增大

我这里不用考虑温度

ID:319166 · 发表于 2021-9-28 14:36

别去听他们的，你这个个产品明显是低功耗上面用的，他们说的情况在你这就不存在，你的电路是没问题的，但我不明白你纠结这0.2V的电压是什么原因，原因就是上面说的，由漏电流引起的，一般MOS管的漏电流进口的在几十个na级别，国产的在百十个na级别，即使是低功耗环境，这种漏电流也是可以接受的吧，况且系统哪怕是处于休眠当中，也不止这点功耗了。

ID:968835 · 发表于 2021-9-28 14:41

R5的电阻给小一些大约在100K左右合适，2M的电阻太大，有压降，导致Q1没有完全关断，所以有0.2V电压

ID:382454 · 发表于 2021-9-28 14:45

电路断开，MOS处于高阻状态，至于怎么会有0.2V电压输现，我认为是悬空电压。

ID:420836 · 发表于 2021-9-29 08:33

同意12楼，R5偏大，试试10k欧再测输出电压。

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