像2301那种mos导通后，VDS电压是0吗？也就是没有损耗?仿真是没有损耗的

ID:668004 · 发表于 2020-4-16 15:45

如题

ID:612392 · 发表于 2020-4-16 16:14

怎么可能没有损耗，都有导通内阻的，规格书上会定义。

ID:730718 · 发表于 2020-4-16 17:00

mos的导通损耗和通过的电流和mos的内阻有关，可以自己计算下

ID:692132 · 发表于 2020-4-16 17:36

仿真是理想状态，琛想和现实的差别有些时候还很大

ID:10947 · 发表于 2020-4-16 18:12

导通后，DS之间相当于是个小电阻，具体有多小，看规格书，有毫欧级的，也有欧姆级的。

ID:213173 · 发表于 2020-4-17 08:51

新型MOS管的饱和导通内阻在几毫欧到几十毫欧，做低频开关其损耗很小。但用于高频就不同了，随频率升高损耗也增大。

ID:213173 · 发表于 2020-4-17 08:52

新型MOS管的饱和导通内阻在几毫欧到几十毫欧，做低频开关其损耗很小。但用于高频就不同了，随频率升高损耗也增大。

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