是不是放大倍数高的三极管，更容易进入饱和区

ID:709761 · 发表于 2023-9-13 08:51

哪些型号的三极管。基极1uA的小电流，能快速进入饱和区。
达林顿管，饱和导通压降小。SOT-23封装型号的，有哪些

ID:883242 · 发表于 2023-9-13 14:25

数字电路一般采用开环无反馈，你的结论是正确的。

模拟电路都是靠负反馈保持在线性区，跟放大倍数几乎无关，进入饱和区是电路设计错误。

ID:123289 · 发表于 2023-9-13 15:45

可以这样认为。但不是要点！
要点是：Vce两点间的电压。
1、电压方向正确（集电极电压反偏）。接错了，就谈不上放大、饱和了，无意义！
2、Vce有调节的空间时（如Vce = 1.5V，向下还可调），必定工作于放大区。被【挤死】无调节余地（如Vce = 0.1V，向下接近0了，无调节空间了），则认为是饱和了。

举例：
NPN典型标准电路：Ib = 0.1mA，放大位数 = 100，集电极负载电阻 Rc = 1K 。
则IC = 10mA，URc= 10mA * 1K = 10V。
这时你计算Vce：Vce = Vcc - URc
当Vcc <10V时，你会发现 Vce <0，这是不可能的，只能接近0，也就是饱和了。
当Vcc >11V时，Vce >1V，向下还有1V的空间。所以工作于放大区。

记住：要点！
1、当Vce向上无调节空间（接近电源电压）时，判为：【截止】。
2、当Vce向下无调节空间（接近0）时，判为：【饱和】。
3、其余：则是【放大区】。
当然电压方向必须接正确，否则讨论以上无意义！
临界点如何定义呢？
一般硅管取0.3V、锗管取0.1V。不一而认，参考手册上的特性图为佳。
设计中，将静态Vce 设计在 Vcc的一半电压时，可以得到最大不失真的正弦波电压，峰峰值最大达到 = Vcc。

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是不是放大倍数高的三极管，更容易进入饱和区

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