求助：PWM的占空比经过NMOS以后是反的

ID:1146155 · 发表于 2026-2-2 15:36

单片机IO输出是占空比是32.5K 高80% 低20% 。AO3400端是低80 高20，mos管接的负载是按照低电平时间算的导通时间吧，还是高平的导通时间

ID:1161211 · 发表于 2026-2-2 23:15

NMOS是栅极高电平时导通，导通时漏极电压为低，但加在负载上的电压为高电平，负载上产生电流。

ID:1167201 · 发表于 2026-2-3 05:49

在标準的 N-MOS 开关电路中：
源极 (Source): 接地 (GND)。
漏极 (Drain): 连接负载，负载的另一端接电源(Vcc)。
闸极 (Gate): 输入 PWM 讯号。
当 PWM 为高电位 (High) 时：N-MOS 导通（ON）。
此时 Drain 几乎直接与 GND 接通，所以 Drain 的电位被拉低到接近 0V。
结果：输入高，输出低。
反之当 PWM 为低电位 (Low) 时：N-MOS 截止（OFF）。
此时 Drain 处於断路状态，电位经由负载被「上拉」到Vcc。
结果：输入低，输出高。
简单来说N-MOS是反向闸你应该选P-MOSFET 开关电路

ID:624769 · 发表于 2026-2-4 20:19

Lange0905 发表于 2026-2-3 05:49
在标準的 N-MOS 开关电路中：
源极 (Source): 接地 (GND)。
漏极 (Drain): 连接负载，负载的另一端接电源 ...

在标準的 P-MOS 开关电路中：
源极 (Source): 接地 (VCC)。
漏极 (Drain): 连接负载，负载的另一端接电源(GND)。
闸极 (Gate): 输入 PWM 讯号。
当 PWM 为低电位 (Low) 时：P-MOS 导通（ON）。
此时 Drain 几乎直接与 VCC 接通，所以 Drain 的电位被拉高到无限接近 VCC。
结果：输入低，输出高。
反之当 PWM 为高电位 (High) 时：P-MOS 截止（OFF）。
此时 Drain 处於断路状态，电位经由负载被「下拉」到GND。
结果：输入高，输出低。

请问，P-MOS 就不是反向闸了？

ID:1161211 · 发表于 2026-2-4 21:25

188610329 发表于 2026-2-4 20:19
在标準的 P-MOS 开关电路中：
源极 (Source): 接地 (VCC)。
漏极 (Drain): 连接负载，负载的另一端接电 ...

MOS管这里相当于一个开关，当栅极G高电平时，MOS管导通电阻为0，负载此时接入电源，也就是说栅极高电平时，负载通电工作。

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