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怎么样用代 使用独立键盘前三个按键去调整
ds18b20的TH，TL，并且使用LCD1602
去显示每次按键的变化
以下代码只实现了测出温度
代码：#include <reg52.H>#include <intrins.H>
#include <math.H>
#define uchar unsigned char
#define uint unsigned int
sbit dula = P2^6;
sbit wela = P2^7;
sbit rw = P3^6;
sbit RS = P3^5;
sbit LCDEN = P3^4;
void delayUs() //us级延时
{
_nop_(); //汇编语句 空语句，用来产生短暂的延时效果，
//对于延时很短的，要求在us级的，采用“_nop_”函数，对于12M晶振，延时1uS。
}
void delayMs(uint a) //ms级延时
{
uint i, j;
for(i = a; i > 0; i--)
for(j = 100; j > 0; j--);
}
void writeComm(uchar comm) //写LCD1602指令
{
RS = 0;
P0 = comm;
LCDEN = 1;
delayUs();
LCDEN = 0;
delayMs(1);
}
//写数据:RS=1, RW=0; 可以选择想要写入的数据
void writeData(uchar dat) //从 writeString（）函数中逐一写入数据
{
RS = 1;
P0 = dat;
LCDEN = 1; //读取数据并写入1602内
delayUs();
LCDEN = 0; //释放总线
delayMs(1);
}
void init() //初始化函数
{
rw = 0;
dula = wela = 0;
writeComm(0x38); // 显示模式设置指令码00111000 16*2显示
writeComm(0x0c); //显示开/关及光标设置 00001DCB D=1 开显示 C=1显示光标 B=1光标闪烁
writeComm(0x06); //显示指针指向000001NS N=1 当读或写一个字符后地址指针加一，且光标加一
writeComm(0x01); //显示清屏：1.数据指针清零，2.所有显示清零
}
void writeString(uchar * str, uchar length) //写入字符串
{
uchar i;
for(i = 0; i < length; i++)
{
writeData(str[i]);
}
}
/**//*****************************DS18B20*******************************/
sbit ds = P2^2;
void dsInit() //单总线初始化时序
{
unsigned int i;
ds = 0;
i = 100;
while(i>0) i--; //猜测是为了使传感器复位，即拉低单总线480us以上
ds = 1; //释放总线
i = 4;
while(i>0) i--; //拉低总线15-60us，即可读取18B20的存在信号
}
void dsWait()
{
unsigned int i;
while(ds);
while(~ds);
i = 4;
while(i > 0) i--;
}
bit readBit() //采样总线上的数据
{
unsigned int i;
bit b;
ds = 0;
i++;
ds = 1;
i++; i++;
b = ds;
i = 8;
while(i>0) i--;
return b;
}
unsigned char readByte() //读时序 读字节每次一位
{
unsigned int i;
unsigned char j, dat;
dat = 0;
for(i=0; i<8; i++)
{
j = readBit();
dat = (j << 7) | (dat >> 1);//把字节每次移动一位，直到移动8次，数据写入dat中
}
return dat;
}
void writeByte(unsigned char dat) //写时序
{
unsigned int i;
unsigned char j;
bit b;
for(j = 0; j < 8; j++) //每次写入一个字节，写入8次
{
b = dat & 0x01;
dat >>= 1;
if(b)
{
ds = 0; i++; i++;
ds = 1;
i = 8; while(i>0) i--;
}
else
{
ds = 0;
i = 8; while(i>0) i--;
ds = 1;
i++; i++;
}
}
}
void sendChangeCmd() //温度转换指令
{
dsInit();
dsWait();
delayMs(1);
writeByte(0xcc);
writeByte(0x44); //发送温度转换指令
/* 设置EEPROM中的TH TL 及精度程序
writeByte(0x4e); //发送写暂存器指令
writeByte(0x依据需要); //设置TH指令
writeByte(0x依据需要); //设置TL指令
writeByte(0x依据需要); //配置工作在哪一位的模式下 如0 R1 R2 1 1 1 1 1 R1=R2=0 为9位精度
writeByte(0x48); //把高速暂存器的值拷贝到EEPROM中
PS：每次使用时都需要初始化
dsInit();
dsWait();
writeByte(0xcc); //发送跳跃ROM指令
*/
}
void sendReadCmd()
{
dsInit();
dsWait();
delayMs(1);
writeByte(0xcc); //发送跳跃ROM指令
writeByte(0xbe); //读取高速暂存器中的内容
}
int getTmpValue()
{
unsigned int tmpvalue;
int value;
float t;
unsigned char low, high;
sendReadCmd();
low = readByte(); //读取高速暂存器中的第一个字节 ，即LSB
high = readByte(); //读取高速暂存器中的第2个字节 ，即MSB
tmpvalue = high; //将高字节的温度数据换算成十进制
tmpvalue <<= 8;
tmpvalue |= low;
value = tmpvalue;
\
t = value * 0.0625;//换算成实际温度
\
value = t * 100 + (value > 0 ? 0.5 : -0.5); //大于0加0.5, 小于0减0.5 四舍五入
return value;
}
void display(int v) //显示函数
{
unsigned char count;
unsigned char datas[] = {0, 0, 0, 0, 0};
unsigned int tmp = abs(v);
datas[0] = tmp / 10000;
datas[1] = tmp % 10000 / 1000;
datas[2] = tmp % 1000 / 100;
datas[3] = tmp % 100 / 10;
datas[4] = tmp % 10;
writeComm(0xc0+3);
if(v < 0)
{
writeString("- ", 2);
}
else
{
writeString("+ ", 2);
}
if(datas[0] != 0)
{
writeData('0'+datas[0]);
}
for(count = 1; count != 5; count++)
{
writeData('0'+datas[count]);
if(count == 2)
{
writeData('.');
}
}
}
/**//*****************************DS18B20*******************************/
void main()
{
uchar table[] = " xianzaiwendu: ";
sendChangeCmd();
init();
writeComm(0x80);
writeString(table, 16);
while(1)
{
delayMs(1000); //温度转换时间需要750ms以上
writeComm(0xc0);//第二行地址 显示温度
display(getTmpValue());
sendChangeCmd(); //再次初始化DS总线
}
}
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