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电阻和MOS串联再和另一个电阻并联问题

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ID:668004 发表于 2020-5-15 10:24 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式
电阻和MOS串联再和另一个电阻并联问题

电阻和MOS串联再和另一个电阻并联问题jpg.jpg (202.41 KB, 下载次数: 44)

电阻和MOS串联再和另一个电阻并联问题jpg.jpg
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16#
ID:160500 发表于 2020-5-29 13:12 | 只看该作者
看你这个图就知道你没有明白Vgs的意思，它是指源栅之间的电压
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15#
ID:668004 发表于 2020-5-20 12:05 | 只看该作者
wulin 发表于 2020-5-19 17:01
没见过-0.2V阈值电压的PMOS管。可能在超大规模IC里有，分立件MOS管最低也在1V左右。

有-0.2V的  不过比较贵  AO牌子的
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14#
ID:213173 发表于 2020-5-19 17:01 | 只看该作者
QWE4562012 发表于 2020-5-19 15:10
VGS电压太低是吗？低压的MOS也是有的-0.2V可以导通的也是有的 只是很贵  不过改成N管有新的问题。如果是 ...

没见过-0.2V阈值电压的PMOS管。可能在超大规模IC里有，分立件MOS管最低也在1V左右。
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13#
ID:668004 发表于 2020-5-19 15:10 | 只看该作者
wulin 发表于 2020-5-15 14:00
R2改接到Q1的D端，Q1饱和导通内阻可以忽略不计，但V1电压太低，达不到MOS管导通的阈值电压，Q1处于截止状态 ...

VGS电压太低是吗？低压的MOS也是有的-0.2V可以导通的也是有的 只是很贵  不过改成N管有新的问题。如果是这样  导通电压不需要考虑  不过增加了新的问题   G点电压可能会影响到S端 从而影响到运放的输出（G点电压会不会影响到S点电压？）。S极接在运放输出端。反馈电阻是跨接在运放的反相端和输出端

邮洽图片20200519134811.jpg (162.58 KB, 下载次数: 42)

邮洽图片20200519134811.jpg
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12#
ID:668004 发表于 2020-5-19 15:09 | 只看该作者
VGS电压太低是吗？低压的MOS也是有的-0.2V可以导通的也是有的 只是很贵  不过改成N管有新的问题。如果是这样  导通电压不需要考虑  不过增加了新的问题   G点电压可能会影响到S端 从而影响到运放的输出（G点电压会不会影响到S点电压？）。S极接在运放输出端。反馈电阻是跨接在运放的反相端和输出端
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11#
ID:668004 发表于 2020-5-19 15:08 | 只看该作者
TTQ001 发表于 2020-5-16 08:13
如果想将MOSFET用作开关, 应使工作在饱和区域，以便在导通时看起来像一根导线。 但是，电压源太低，MOSFET ...

VDS要越小越好啊！
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10#
ID:668004 发表于 2020-5-19 15:07 | 只看该作者
wulin 发表于 2020-5-15 14:00
R2改接到Q1的D端，Q1饱和导通内阻可以忽略不计，但V1电压太低，达不到MOS管导通的阈值电压，Q1处于截止状态 ...

VGS电压太低是吗？低压的MOS也是有的-0.2V可以导通的也是有的 只是很贵  不过改成N管有新的问题。如果是这样  导通电压不需要考虑  不过增加了新的问题   G点电压可能会影响到S端 从而影响到运放的输出（G点电压会不会影响到S点电压？）。S极接在运放输出端。反馈电阻是跨接在运放的反相端和输出端
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9#
ID:668004 发表于 2020-5-18 18:17 | 只看该作者
TTQ001 发表于 2020-5-16 08:13
如果想将MOSFET用作开关, 应使工作在饱和区域，以便在导通时看起来像一根导线。 但是，电压源太低，MOSFET ...

漏源？应该是VGS的电压吧
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8#
ID:668004 发表于 2020-5-18 18:16 | 只看该作者
wulin 发表于 2020-5-15 14:00
R2改接到Q1的D端，Q1饱和导通内阻可以忽略不计，但V1电压太低，达不到MOS管导通的阈值电压，Q1处于截止状态 ...

用N管呢  
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7#
ID:420836 发表于 2020-5-16 08:13 | 只看该作者
如果想将MOSFET用作开关, 应使工作在饱和区域，以便在导通时看起来像一根导线。 但是，电压源太低，MOSFET的漏源电压不够大，无法使MOSFET在其饱和区域工作。 在你这种情况下，MOSFET沟道的电阻非常高，因此不能将其视为导线，而应视为电阻。
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6#
ID:160500 发表于 2020-5-15 18:56 | 只看该作者
没有达到PMOS管的开启电压
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5#
ID:668004 发表于 2020-5-15 18:00 | 只看该作者
dianzi1987 发表于 2020-5-15 12:05
电源电压太低了，更低的电源电压，并联后的电阻还会更大。你将电源电压调节到2.5V以上，R3也不应该接地，应 ...

这是PMOS  低导通啊  和0.4V没关系的啊  差点忘了
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地板
ID:668004 发表于 2020-5-15 17:17 | 只看该作者
dianzi1987 发表于 2020-5-15 12:05
电源电压太低了，更低的电源电压，并联后的电阻还会更大。你将电源电压调节到2.5V以上，R3也不应该接地，应 ...

R3哪里接地了？
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板凳
ID:668004 发表于 2020-5-15 17:16 | 只看该作者
dianzi1987 发表于 2020-5-15 12:05
电源电压太低了，更低的电源电压，并联后的电阻还会更大。你将电源电压调节到2.5V以上，R3也不应该接地，应 ...

我写错了  上拉那个电阻连接到的是IO口3V
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沙发
ID:213173 发表于 2020-5-15 14:00 | 只看该作者
R2改接到Q1的D端，Q1饱和导通内阻可以忽略不计，但V1电压太低，达不到MOS管导通的阈值电压，Q1处于截止状态。
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楼主
ID:475957 发表于 2020-5-15 12:05 | 只看该作者
电源电压太低了，更低的电源电压，并联后的电阻还会更大。你将电源电压调节到2.5V以上，R3也不应该接地，应该串到Q1  G脚到S1的路上，为了Q1可靠关闭，还应该增加一个电阻从电源到Q1 G脚。

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