NMOS高侧供电关断保护问题

ID:705846 · 发表于 2025-6-8 20:11

大家好，
图中OUT+为24V, OUT+12为电荷泵抬升电压驱动NMOS导通。 HOUT和LOUT接负载灯泡。通过拉低NMOS的G极电压能否实现关断NMOS实现负载短路保护的目的，会不会导致NMOS反向击穿，或有什么建议，请各位帮忙分析一下。谢谢。

ID:536683 · 发表于 2025-6-9 11:02

不会反向击穿的，也不能短路保护，但R4、R6要放到光耦的E极，mos-g直接接e极，当光耦不导通时，通过R4、R6拉低GD的电压，关闭MOS。

ID:1136941 · 发表于 2025-6-9 14:46

两个MOS管的GS要接电阻，不然MOS管不会关断。

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