关于（三极管+MOS）&（MOS+MOS）组合电路

ID:668004 · 发表于 2021-8-9 16:01

导通的时候，三极管+MOS比MOS+MOS组合更耗电？为什么？但是更可靠！我发现直接用单片机驱动MOS有出现过导通不充分的现象！大家说哪种方式更好？可以从哪些角度分析

ID:10947 · 发表于 2021-8-9 17:20

设计没问题的话，哪种方式都可靠；
有出现过导通不充分的现象，这可能是你选用的MOS管不合适。

ID:727110 · 发表于 2021-8-9 17:39

楼主是用在低功耗领域吧，建议用mos

ID:883242 · 发表于 2021-8-9 17:57

哪个更耗电取决于R15的值，导通不充分是开关管型号不对，没有达到Vgs（on）的电压。

ID:668004 · 发表于 2021-8-9 18:09

lfc315 发表于 2021-8-9 17:20
设计没问题的话，哪种方式都可靠；
有出现过导通不充分的现象，这可能是你选用的MOS管不合适。

3.3V的单片机你觉得MOS选型不对是从哪几个参数考虑的呢

ID:123289 · 发表于 2021-8-9 20:17

你要学会查元件手册。会看手册了，就全明白了。

ID:491875 · 发表于 2021-8-10 16:59

三极管是电流驱动器件，MOS管是电压驱动器件，所以，三极管驱动耗电要高于MOS管，MOS管导通不可靠是因为你选型问题，常规的MOS管需要4.5V左右的GS电压，单片机输出可能在3V左右，所以不能可靠的使MOS管饱和导通，可以选择低GS电压的MOS管。

ID:668004 · 发表于 2021-8-10 17:45

lfc315 发表于 2021-8-9 17:20
设计没问题的话，哪种方式都可靠；
有出现过导通不充分的现象，这可能是你选用的MOS管不合适。

假如是3.3V单片机控制4.2V输出你有哪些MOS推荐

ID:668004 · 发表于 2021-8-10 17:46

a1211762993 发表于 2021-8-9 17:39
楼主是用在低功耗领域吧，建议用mos

都说了 MOS有风险

ID:668004 · 发表于 2021-8-10 17:47

Hephaestus 发表于 2021-8-9 17:57
哪个更耗电取决于R15的值，导通不充分是开关管型号不对，没有达到Vgs（on）的电压。

你用3.3V去控制4.2V输出导通之后S和D电压相等你G才3.3V 你怎么关断？

ID:668004 · 发表于 2021-8-10 17:55

老愚童63 发表于 2021-8-10 16:59
三极管是电流驱动器件，MOS管是电压驱动器件，所以，三极管驱动耗电要高于MOS管，MOS管导通不可靠是因为你 ...

你有哪些推荐

ID:10947 · 发表于 2021-8-10 18:47

QWE4562012 发表于 2021-8-10 17:45
假如是3.3V单片机控制4.2V输出你有哪些MOS推荐

具体型号就不推荐了，自己找低开启电压的MOS管

ID:10947 · 发表于 2021-8-10 18:50

QWE4562012 发表于 2021-8-10 17:47
你用3.3V去控制4.2V输出导通之后S和D电压相等你G才3.3V 你怎么关断？

你既然知道电压不匹配情况下，不能可靠关断；就应该知道不匹配也可能会不能可靠开通。

ID:491875 · 发表于 2021-8-11 08:43

QWE4562012 发表于 2021-8-10 17:55
你有哪些推荐

SI2305和SI2306

ID:491875 · 发表于 2021-8-11 08:51

QWE4562012 发表于 2021-8-10 17:55
你有哪些推荐

使用2306后。D9要短路，否则有可能造成不能关断现象。

ID:668004 · 发表于 2021-8-12 18:29

老愚童63 发表于 2021-8-11 08:43
SI2305和SI2306

美国芯科的吗

ID:668004 · 发表于 2021-8-12 18:30

老愚童63 发表于 2021-8-11 08:51
使用2306后。D9要短路，否则有可能造成不能关断现象。

为什么

ID:491875 · 发表于 2021-8-13 05:29

QWE4562012 发表于 2021-8-12 18:30
为什么

2306的最低开启电压约0.6V!D9的嵌位电压也在0.6V左右，这样会导致2306不能关断

ID:491875 · 发表于 2021-8-13 09:52

另外，D9的存在本身就是一个错误！这也是你设计出的MOS管导通不完全的根本原因之一！

ID:128516 · 发表于 2021-8-13 11:21

Q2和Q4没有选择好，单片机的输出电压是多少，你用AO3400A这个程序应该测试一下。

ID:128516 · 发表于 2021-8-13 11:25

用AO3400A这个场效应管测试一下

ID:491875 · 发表于 2021-8-13 12:35

zhu0 发表于 2021-8-13 11:21
Q2和Q4没有选择好，单片机的输出电压是多少，你用AO3400A这个程序应该测试一下。

主要原因应该是D9的原因吧，电路原理图分析，单片机输出高电平时Q4应该导通，Q4导通后Q2导通，此时因为R12的存在保持Q4继续导通自锁。因为D9的存在，实际上，单片机输出高电平并没有直接加到Q4的G极，而是通过反向的PN结的等效电阻和电容与R20分压加到Q4的G极，这样Q4很难饱和导通了！不知道楼主设计D9的真实意图！而三极管驱动的那副图并没有D9。如果考虑4.2V电压的影响，可以将D9改成一只10K左右的电阻，并且在单片机的输出端对3.3V电源正极设置嵌位二极管（实际上没有必要，因为R20的分压此时对单片机的影响已经很小）

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