关于MOS管和三极管驱动电路

ID:668004 · 发表于 2021-9-10 14:49

1.用三极管Q4的漏电流为（3.3-0.7）/1K=3.6mA

2.用NMOS Q5的电流几乎为0，所以用NMOS省电相较于用三极管不是一个数量级

3.要注意NMOS的Vth，这里选择低压导通的NMOS，在1V上下的管子找到了

除了以上几点，用单片机去驱动NMOS，然后NMOS驱动PMOS会比用三极管驱动PMOS还有哪些好处？以

及需要注意的地方？

ID:83553 · 发表于 2021-9-10 16:57

s8050的2、3脚是不是应该换一下？

ID:668004 · 发表于 2021-9-10 19:07

mcza30 发表于 2021-9-10 16:57
s8050的2、3脚是不是应该换一下？

对对不好意思画错了。。。

ID:420836 · 发表于 2021-9-11 09:01

与使用双极晶体管驱动 MOSFET 相比，使用 NMOS 驱动 PMOS 有利有弊。使用 NMOS 驱动 PMOS 的最大缺点之一是 NMOS 需要比源极电压更高的栅极电压才能开启。

ID:668004 · 发表于 2021-9-13 17:39

TTQ001 发表于 2021-9-11 09:01
与使用双极晶体管驱动 MOSFET 相比，使用 NMOS 驱动 PMOS 有利有弊。使用 NMOS 驱动 PMOS 的最大缺点之一 ...

那还得升压啊那岂不是没用

ID:668004 · 发表于 2021-9-13 17:40

本帖最后由 QWE4562012 于 2021-9-13 17:42 编辑

TTQ001 发表于 2021-9-11 09:01
与使用双极晶体管驱动 MOSFET 相比，使用 NMOS 驱动 PMOS 有利有弊。使用 NMOS 驱动 PMOS 的最大缺点之一 ...

那还要升压吗，G栅极的电压等于源极的电压不可以吗？这里源极的电压不是=0吗？而G的电压是3.3V 应该没问题吧

ID:955673 · 发表于 2021-9-13 18:42

3.3v机不用考虑升压吧，又不需要推到饱和，
电阻用到百 K 以上比较好

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