三极管和pmos损坏

ID:1154195 · 发表于 2025-6-18 16:55

想问一下用三极管和pmos组合控制5v通断，如果频繁开关三极管和pmos管会容易损坏吗

ID:69038 · 发表于 2025-6-18 19:53

R56小了

ID:879809 · 发表于 2025-6-18 20:00

那么CPU内部MOS管每秒钟通断40亿次，每年通断多少次提问者会算吗？

ID:466250 · 发表于 2025-6-18 20:45

容性负载有一定风险。

ID:88256 · 发表于 2025-6-18 20:54

zhuls 发表于 2025-6-18 19:53
R56小了

我对mos管不了解，只知道是电压驱动型的，好像很多电路连R56都不用，有用的也在100~200Ω之间，所以，能说一下R56该如何取值吗？

ID:879809 · 发表于 2025-6-18 21:17

zhuls 发表于 2025-6-18 19:53
R56小了

MOSFET G极静态电阻无穷大，R56多大是完全无所谓的，零都可以。如果从微功耗角度考虑，你还是关心一下R55的阻值吧。

ID:1154525 · 发表于 2025-6-18 21:22

重点在于降低开关损耗减小R56确保驱动足够调整R58

ID:1110477 · 发表于 2025-6-19 04:16

Q8是MOS管的体二极管？

ID:1133081 · 发表于 2025-6-19 06:38

楼主杞人忧天，此电路如果是单片机IO控制且VCC为5V，Q9也是多余的。

ID:654797 · 发表于 2025-6-19 06:47

不满功率工作，一般不会坏，

ID:1154563 · 发表于 2025-6-19 08:31

一般不会坏的

ID:469589 · 发表于 2025-6-19 09:24

如果是连续的ms级甚至更快的连续开关，
则R55\R56都大了，特别是有点大的负载时，这会导致开关的前沿和后延不够陡，最终MOS管发热损坏，
我有过这样的例子，是R55=10K引起的，改到4.7K以下就好很多，太小了三极管负担重。

ID:1121801 · 发表于 2025-6-19 13:49

看你说的频繁开关到底有多频繁,开关频率是多少,选用的PMOS要与开关频率匹配.一般开关频率不高的不容易坏的,这种驱动电路最好是用一个NMOS搭配一个PMOS控制,也就是把Q9换成NMOS,功耗降低了还更耐用

ID:584814 · 发表于 2025-6-19 14:23

开关电源中MOS管每秒开关从几十次到几十万次都有，不知道你对频繁的定义是啥

ID:1004920 · 发表于 2025-6-19 16:20

R56改成10Ω以下，R55=500Ω~1K让9013工作电流5~10mA。你现在的参数估计SI2309会发热。给个10K的信号MOS和三极管都不会损坏。

ID:420836 · 发表于 2025-6-23 00:38

晶体管和PMOS并非机械开关。频繁使用不会损坏它们，但它们工作的电气条件会影响它们的寿命。

ID:56665 · 发表于 2025-6-23 09:00

rundstedt 发表于 2025-6-18 20:00
那么CPU内部MOS管每秒钟通断40亿次，每年通断多少次提问者会算吗？

365*24*60*60*24*10*10^8次

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