求助低压逆变思路

ID:123917 · 发表于 2026-9-3 17:50

如题，有客户考虑将直流电池电压3.0~3.65伏（容量1000安时）升压至直流48伏10安,
谁有好的思路，非常感谢

ID:230712 · 发表于 2026-9-4 06:43

用焦耳小偷改进版！

，某音上某鹅有展示！

ID:491875 · 发表于 2026-9-4 08:07

近200A的电流你确定适合？

ID:1175769 · 发表于 2026-9-4 09:55

建议放弃传统的单级Boost，采用以下架构：多相交错并联Boost拓扑（首选）：将总功率分配到多个并联的Boost通道中（例如4相或6相并联）。这种架构可以显著降低单相的电感电流和MOSFET电流应力，减小输入/输出电流纹波，并提升系统的整体功率处理能力。两级级联升压架构：如果受限于控制芯片，可采用两级升压方案。第一级将3.0~3.65V升至中间电压（如12V或24V），第二级再将中间电压稳定提升至48V。该架构能有效降低单级开关管的电压应力与热损耗。电流馈电型变换器（Current-fed Converter）：在宽输入电压范围下，电流馈电拓扑具有良好的控制特性，且能天然防止变压器（若采用隔离方案）饱和，易于实现多相并联。结合有源钳位技术，还能实现低压侧MOSFET的零电压开通（ZVS），进一步提升效率。

ID:592807 · 发表于 2026-9-4 09:56

48V*10A = 480W.你家什么电池啊这么牛能输出480W功率，

ID:123917 · 发表于 2026-9-4 10:13

黄youhui 发表于 2026-9-4 09:56
48V*10A = 480W.你家什么电池啊这么牛能输出480W功率，

这只是其中的一款中等的，还有大的呢

ID:491875 · 发表于 2026-9-4 10:28

近200A的初级电流你确定要用3V输入电压？

ID:582276 · 发表于 2026-9-4 10:36

感觉要用两路两升压，一路是小功率升压给单片机和MOS管控制以及电池相关，另一路就是这个48V大功率DC/DC电路。

ID:155507 · 发表于 2026-9-4 10:39

效率如果能够做到92%：
P_in=480/0.92=522W
I_in=522W/3V=174A

这个才恐怖

ID:155507 · 发表于 2026-9-4 10:43

两级升压
3V
↓
4相
↓
12V
↓
2相/4相
↓
48V
虽然多了一级转换器，但是每一级的变换比小很多

ID:57414 · 发表于 2026-9-4 11:07

只有推挽

ID:123917 · 发表于 2026-9-4 11:20

angmall 发表于 2026-9-4 10:39
效率如果能够做到92%：
P_in=480/0.92=522W
I_in=522W/3V=174A

效率可能还要低一些

ID:491875 · 发表于 2026-9-4 11:34

angmall 发表于 2026-9-4 10:43
两级升压
3V
↓

级数再多，你能够避免3V近200A的初级电流？

ID:491875 · 发表于 2026-9-4 11:43

按100%转换效率计算3V时初级电流也是160A ！况且在160A的大电流状态下，导线的线组，功率管的导通内阻，接线柱与线缆之间的接触电阻都会有不小的损耗！实际效率能够做到80%就不错了！不管你变换多少级，第一级的初级电流都不会小于160A!所以这个论题根本就不可能实现！

ID:69038 · 发表于 2026-9-4 11:52

我更愿相信是12V或24V升到48V。
3.65V电池输出的电流太大了~
要不换个老板试试？

ID:123917 · 发表于 2026-9-4 12:07

我初步估计能到70%就很满意了，已和客户说了效率很低但是他不在乎。
现在考虑3伏升压到5伏给CPU，用MOS管并联推动，IGBT导通内阻大排除了，
现在的疑问：
是用多少的开关频率驱动比较合适，磁芯选择哪写型号，初次级匝数比多少合适，MOS选的100安的并联多事合适？
感谢友们的支持

ID:155507 · 发表于 2026-9-4 12:44

老愚童63 发表于 2026-9-4 11:34
级数再多，你能够避免3V近200A的初级电流？

两级升压
这会显著降低93.75%占空比带来的困难。
不用 Boost MOSFET 长时间承担 93.75% 的占空比。

180A 输入
↓
四相均流
↓
4个电感
↓
8个MOSFET
↓
12V / 42A

ID:155507 · 发表于 2026-9-4 13:02

如果使用 LM5125A-Q1，则两颗控制器可以组成 4 相架构；TI 官方产品资料明确支持堆叠多相，最高 4 相，并支持 100 kHz～2.2 MHz。需要注意的是，它的 2.5 V 输入能力仍然是启动之后的条件。

lm5125a-q1.pdf (4.08 MB, 下载次数: 0)

ID:230500 · 发表于 2026-9-4 16:12

48*10/3.3=145A （不含损耗） ; 升压当然没有问题；要考虑的是这么大的电流得并联多少只MOS，得用多大的变压器。这两项最主要的功率器件能解决基本上其他的都不是问题；用TL494即可完成。但是还是要额外一级升压电路用于驱动TL494，图腾柱和开启MOS。汽车功放 12V升压到100V，功率几千瓦都不是问题。只是不知道这个3.3V用高频变压器升压，效率能达到多少。

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