别闹了，看完MCU存储介绍，我回去看Kobe最后一战

ID:114320 · 发表于 2016-4-28 00:10

存储器作为MCU的存储介质，它的速度和读写方式决定它不同的应用场合，再众多存储器中，周立功公司又提供完美的存储解决方案，下面就让我们认识认识这个MCU的内存吧。
存储器（Memory）是电子系统中的存储设备，用来存放程序和数据。电子系统中的全部信息，包括原始数据、程序代码、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。它根据控制器指定的位置存入和取出信息。存储器分两类：RAM和ROM。RAM的存取速度非常快，但是掉电后数据不能保存，常用来保存一些中间运行结果；ROM在掉电情况下能保证数据不丢失，但是速度稍慢，常用来保存程序代码和原始配置信息；而最新的MRAM技术将RAM和ROM的优点结合起来，既能实现高速的数据存储，又能实现掉电后数据不丢失。

概述
常用的存储器有串行EEPROM、并行EEPROM、DRAM、SRAM、串行NOR Flash、并行NOR Flash、并行MRAM、串行MRAM等。下面分别介绍各个存储器的特点：

ROM-(Read Only Memory)

特点：ROM掉电保持数据。

ROM分类

PROM(可编程的ROM)：

PROM是一次性的，也就是软件灌入后，就无法修改了，这种是早期的产品，现在已经不可能使用了。

EPROM（可擦除可编程ROM）：

EPROM是通过紫外光的照射擦出原先的程序，是一种通用的存储器。

EEPROM是通过电子擦出，价格很高，写入时间很长，写入很慢。

RAM-(Random Access Memory)

特点：RAM掉电丢失数据。

RAM分类（两大类）

静态RAM（StaticRAM/SRAM）：

SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。

动态RAM（DynamicRAM/DRAM）：

      DRAM需要一个额外设电路进行内存刷新操作。

      DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的，典型的RAM就是计算机的内存。内存是用来存放当前正在使用的（即执行中）的数据和程序，我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存（即 DRAM），动态内存中所谓的"动态"，指的是当我们将数据写入DRAM后，经过一段时间，数据会丢失，因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。

      具体的工作过程是这样的：一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷，有电荷代表1，无电荷代表0。但时间一长，代表1的电容会放电，代表0的电容会吸收电荷，这就是数据丢失的原因；刷新操作定期对电容进行检查，若电量大于满电量的1／2，则认为其代表1，并把电容充满电；若电量小于1／2，则认为其代表0，并把电容放电，藉此来保持数据的连续性。

FLASH存储器又称闪存

特点：它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程（EEPROM）的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据（NVRAM的优势），U盘和MP3里用的就是这种存储器。在过去的20年里，嵌入式系统一直使用ROM（EPROM）作为它们的存储设备，然而近年来 Flash全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系统中的地位，用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用（U盘）。

Flash分类：目前Flash主要有两种NOR Flash和NADN Flash

NOR Flash：

NOR Flash 块擦出写入，随机读取。
NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样，用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。

NAND Flash：

      NAND Flash 块擦出写入，块读取。

      NAND Flash没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行NAND Flash上的代码，因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flah以外，还作上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。

      一般小容量的用NORFlash，因为其读取速度快，多用来存储操作系统等重要信息，而大容量的用NAND FLASH，最常见的NAND FLASH应用是嵌入式系统采用的DOC（Disk On Chip）和我们通常用的"闪盘"，可以在线擦除。

帐号		自动登录	找回密码
密码			立即注册