MOS管是场效应晶体管，是一种电压控制器件。而普通晶体管（又称双极晶体管）是一种电流控制器件）。MOS管有N沟道与P沟道之分，两者极性相反，正如PNP与NPN晶体管一样
mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
NMOS英文全称为：N-Mental-Oxide-Semiconductor。 意思为金属-氧化物-半导体，而拥有这种结构的晶体管我们称之为MOS晶体管。 有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，由NMOS组成的电路就是NMOS集成电路，由PMOS管组成的电路就是PMOS集成电路，由NMOS和PMOS两种管子组成的互补MOS电路，即CMOS电路
在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底（提供大量可以动空穴）上，制作两个高掺杂浓度的N+区(N+区域中有大量为电流流动提供自由电子的电子源)，并用金属铝引出两个电极，分别作漏极d和源极s。然后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层，在漏——源极间的绝缘层上再装上一个铝电极（通常是多晶硅）,作为栅极g。在衬底上也引出一个电极B，这就构成了一个N沟道增强型MOS管。MOS管的源极和衬底通常是接在一起的(大多数管子在出厂前已连接好)。
它的栅极与其它电极间是绝缘的。
PMOS管
PMOS是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管
导通条件
NMOS管：VGS大于等于UT PMOS管VGS小雨等于UT
VGS:栅极电压，UT开启电压
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