找回密码
 立即注册

QQ登录

只需一步,快速开始

搜索
查看: 1387|回复: 0
打印 上一主题 下一主题
收起左侧

SI24R2E升级版SI24R2H内置125K低频唤醒2.4G单发芯片

[复制链接]
跳转到指定楼层
楼主
ID:351643 发表于 2020-8-6 17:05 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
据以上抬头所述,相信大家都对这款有源RFID首款内置125KHz的这芯片很感兴趣,但是今天在介绍这款芯片前,需要大家先属于我司前两代的SI24R2E/SI24R2F芯片,因为SI24R2H是在原有的产品上做迭代升级而来
更新情况:
1.Si24R2H在Si24R2F的基础上增加了Si3933的125KHz低频唤醒功能。
2.烧录与Si24R2E一样,都是通过上位机直接配置,无需编程。
3.Si24R2H可以外接NTC热敏电阻采集温度,偏差值±0.5℃。
4.最大发射功率12dBm,睡眠电流300nA(2.4G部分)
5.小尺寸 5*5 QFN32封装
SI24R2H功能简述:
· 工作在 2.45GHz ISM 频段
· 内置 多次可编程 NVM 存储器
· 具有超低功耗自动发射功能
· 自动发射模式下,支持 多个不同信道发射
· 支持发射数据加密
· 支持按键发射功能
· 具有低电压自动报警功能
· 集成温度监测和报警功能
· 具有防拆卸报警功能
· 集成防冲突通信机制
· 3.3V 编程电压
· 调制方式:GFSK
· 数据速率:2Mbps/1Mbps/250Kbps
· 超低关断电流:400nA
· 超低待机电流:22uA
· 快速启动时间: ≤ 130uS
· 宽电源电压范围:1.9-3.6V
· 宽数字 I/O 电压范围:1.9-5.25V
· 低成本晶振:16MHz±60ppm
· 最高发射功率:12dBm
· 发射电流: 16.8mA(0dBm)
· 最高 10MHz 四线 SPI 接口· 发射数据硬件中断输出
· QFN32封装
· 替换 Si24R1/Si24R2/Si24R2E 发射功能
对有源RFID学校领域局势有着重大的突破性的作用,有想进一步了解的可进一步联系博主
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空间QQ空间 腾讯微博腾讯微博 腾讯朋友腾讯朋友
收藏收藏 分享淘帖 顶 踩
回复

使用道具 举报

您需要登录后才可以回帖 登录 | 立即注册

本版积分规则

小黑屋|51黑电子论坛 |51黑电子论坛6群 QQ 管理员QQ:125739409;技术交流QQ群281945664

Powered by 单片机教程网

快速回复 返回顶部 返回列表