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求分析MCU+继电器电路是如何工作的?

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ID:354282 发表于 2019-4-9 19:04 | 显示全部楼层 |阅读模式
MCU为高电继电器吸合还是为低电平时继电器吸合?
190103.png
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ID:277550 发表于 2019-4-9 20:06 | 显示全部楼层
低释放、高吸合。


其实,要查询一下8050是什么类型的三极管就清楚了, 三极管8050是非常常见的NPN型晶体三极管。


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ID:134317 发表于 2019-4-9 20:09 | 显示全部楼层
本帖最后由 liugang 于 2019-4-9 22:07 编辑

高电平吸合
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ID:213173 发表于 2019-4-9 22:02 | 显示全部楼层
190438csi4s833zozo4x44.png

MCU输出高电平,二极管D6截止,驱动电流经R4、R6致Q1导通,继电器吸合(B通路)。MCU输出低电平,二极管D6导通,驱动电流经R4、D6、MCU。Q1截止,继电器释放(A通路)。
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ID:354282 发表于 2019-4-10 07:59 | 显示全部楼层
wulin 发表于 2019-4-9 22:02
MCU输出高电平,二极管D6截止,驱动电流经R4、R6致Q1导通,继电器吸合(B通路)。MCU输出低电平,二极 ...


大哥 ,指点下,为何MCU为低电平时,A这条导通,B这条不通,是不是,三极管的Vbe压降大,二极管1N60P压降相对更小。电压会向更低电位导通。MCU为低电平时,A通B不通?
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ID:52944 发表于 2019-4-10 08:54 | 显示全部楼层
首先mcu电压要够高,如24V,高吸合低释放;低于24v,继电器始终释放。
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ID:451718 发表于 2019-4-10 10:13 | 显示全部楼层
jefelee 发表于 2019-4-10 07:59
大哥 ,指点下,为何MCU为低电平时,A这条导通,B这条不通,是不是,三极管的Vbe压降大,二极管1N60P压 ...

低电平时,1N60P正向导通,既然是导通,那么从电阻就很小了。几乎可以认为此时1N60P这边是一个直接到地的效果,而此时,另外一边还有2.2k才能到地。所以,电流会走A线。  

高电平时,75k和2.2k分压后,节点处电压值只有1.4v左右(此处预算了三极管压降),小于OUT口3.3或者5v,所以,1N60P截止,电流被强制走B线。三极管导通,继电器吸合。
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ID:310519 发表于 2019-4-10 11:53 | 显示全部楼层
上次好像看过这个图。

不知道为什么这样设计?

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ID:337069 发表于 2019-4-10 15:18 | 显示全部楼层
输出0伏的时候,二极管钳位,A点电压PN结电压,基极正偏电压vbe一个PN结电压,这样基极电流大概IB = ( vA - vbe )/2.2k = 0,三极管开时候,工作在饱和区, ic =n*ib ,现在 0.
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ID:213173 发表于 2019-4-10 20:01 | 显示全部楼层
jefelee 发表于 2019-4-10 07:59
大哥 ,指点下,为何MCU为低电平时,A这条导通,B这条不通,是不是,三极管的Vbe压降大,二极管1N60P压 ...

你的疑虑是真实存在的,硅材料的PN结的正向导通压降基本相同。其实这个电路是有缺陷的,MCU为低电平时不能保证Q1完全截止,只不过由于R6的存在Q1的be电流很小,虽经放大后也不足以使继电器误动作。在要求较高的场合会在Q1的e极到地接二极管垫高0.7V以保证Q1能够可靠截止。
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ID:354282 发表于 2019-4-11 10:18 | 显示全部楼层
wulin 发表于 2019-4-10 20:01
你的疑虑是真实存在的,硅材料的PN结的正向导通压降基本相同。其实这个电路是有缺陷的,MCU为低电平时不 ...

解释和补充非常到位。即考虑防止误动作又考虑成本,所以,选用压降较低的1N60P(压降约为0.28V左右),低电平时,基本不会出现放大现象(对于Q1,毕竟Vbe约为0.6左右嘛)。
最后,感谢您的回复。
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