根据时序图来写关于 DS18B20的写数据

图片当中的写法看不明白，有没有能帮忙稍微详细解答下，新手一枚！我看很多师傅的写法不区分写1还是写0？又是为哈？
* 函 数 名         : Ds18b20WriteByte
* 函数功能                   : 向18B20写入一个字节
* 输    入         : 无
* 输    出         : 无
*******************************************************************************/

void Ds18b20WriteByte(uchar dat)
{
        uint i, j;

        for(j=0; j<8; j++)
        {
                DSPORT = 0;                       //每写入一位数据之前先把总线拉低1us
                i++;
                DSPORT = dat & 0x01;  //然后写入一个数据，从最低位开始
                i=6;
                while(i--); //延时68us，持续时间最少60us
                DSPORT = 1;        //然后释放总线，至少1us给总线恢复时间才能接着写入第二个数值
                dat >>= 1;
        }
}

你这张图从哪里找的。

技术贴值得mark mark mark

cccc888 发表于 2020-2-29 19:05
你这张图从哪里找的。

从郭天祥老师写的书里面看来得 ，错了哈，你有英文原版的资料么 发我一份 pull1121@163.com 谢谢

cccc888 发表于 2020-2-29 19:05
你这张图从哪里找的。

我看到了 即使你的时序图是对的 那个写1的时候DS被拉高了 为啥我上面别人写的程序怎么不区分哈 还是按拉低了处理的 根本不区分写0和1？

这是美信的官方PDF,你参考一下
18B20时序实际上是比较简单的,基本是以延时为主的,你多看一下别人的程序,或者是中文版的PDF数据手册就可以了 DS18B20.pdf (382.99 KB, 下载次数: 13)

2020-3-1 14:50 上传

点击文件名下载附件

Y_G_G 发表于 2020-3-1 14:50
这是美信的官方PDF,你参考一下
18B20时序实际上是比较简单的,基本是以延时为主的,你多看一下别人的程序,或 ...

感谢哈 还是不太明白

pull1121 发表于 2020-3-1 11:46
我看到了 即使你的时序图是对的 那个写1的时候DS被拉高了 为啥我上面别人写的程序怎么不区分哈 还是按拉 ...

程序写法千万种，每个人的写法不同，意义一样。
写周期一开始做为主机先把总线拉低1微秒表示写周期开始。随后dat & 0x01，若为0，则继续拉低电平最少60微秒直至写周期结束，然后释放总线为高电平。若为1，在一开始拉低总线电平1微秒后就释放总线为高电平，一直到写周期结束。而做为从机的DS18B20则在检测到总线被拉底后等待15微秒然后从15us到45us开始对总线采样，在采样期内总线为高电平则为1，若采样期内总线为低电平则为0。
这就是第一种写法的意思。

重新画个图，来解释。图中有3处相同，所以正如你所说，大部分人不区分是写1还是写0。我所见过的程序各写的程序是不区分的。
你图中写1采样是15+20us，不对，原版上还是15+30us。
由于采样都是在15us后才开始的，不论写1、写0，所以关键点1：15us以内操作好DQ线。
由于采样时间都是45us，关键点2：不能在15+45us期间变换DQ，一定要保持足够时间让采样完成。
由于数据位的分隔是最小1us的高电平，关键点3：必须要有1us以上的分隔拉低再拉高电平。
区分写1写0的程序明显要复杂一点，没用延时函数较差劲(编译后要多)，建议采纳大家都用的不区分方式。

odfggf 发表于 2020-3-2 20:55
程序写法千万种，每个人的写法不同，意义一样。
写周期一开始做为主机先把总线拉低1微秒表示写周期开始 ...

嗯嗯  很感谢您的详细解释 之前是不太明白 为啥不区分写0和1 。有跟帖的师傅解释的很清楚了 谢谢！

f556 发表于 2020-3-3 10:20
重新画个图，来解释。图中有3处相同，所以正如你所说，大部分人不区分是写1还是写0。我所见过的程序各写的 ...

首先非常感谢您的详细解释，还手画了图。我能理解这几个关键点。就是在采样的45微秒的时候，不是数据线拉高了么？我的理解是这样，是不是此时的高电平是被单片机被动拉高的，所以不用去处理？

“我的理解是这样，是不是此时的高电平是被单片机被动拉高的，所以不用去处理？”
看来你对这时序还不是太明白，DSPORT = dat & 0x01; 这句的意义是数据dat最低位如果是1，与上0x01就是1，即DSPORT=1，单片机主动拉高电平；如果最低位是0，则DSPORT=0，单片机主动拉低电平。不管是拉低还是拉高，一直保持该电平到45us，这是给18b20读数据的时间，这期间DSPORT=1则18b20读到1，为0则读到0，不一定非要延时45us，我试过延时80us也正常工作

pull1121 发表于 2020-3-3 12:11
首先非常感谢您的详细解释，还手画了图。我能理解这几个关键点。就是在采样的45微秒的时候，不是数据线拉 ...

是这样的，理解正确。

    DSPORT = dat & 0x01;  // 这里决定写0 还是写1
                i=6;
                while(i--); //延时68us，持续时间最少60us
                DSPORT = 1;        //这里是释放总线

有个朋友给的资料，觉得讲的不错分享给大家。