三极管的饱和的本质是什么?

三极管饱和的本质是什么了，是因为基极电流太大而三极管的CE之间通过电流能力有限饱和了还是IC的源提供不了那么多电流了？不要说IC不再因基极电流增大而增大叫饱和，这只是现象，本质是什么了，谁是主导因素是基极电流还是集电极的源？那位大佬帮小弟解释一下

你把它当一个老式的水龙头去看待就懂了。

     电流的本质是电子的移动，以NPN型三极管为例，发射极（发射极高参杂）在电势差的驱动下，会发出大量的电子，这些电子在基区会和少量的空穴结合（为什么是少量？因为基区做的很薄！），形成基极电流；大多数电子会到达集电区和大量空穴结合，形成集电集电流（集电区做的很大），一般这种情况，基极电流和集电极电流是一种线性关系。从外部来看，基极电流增大，则集电极电流也按一定比例增大（理想情况下）；反之减小，此时三极管处于放大的工作状态。
     如果，集电区电压降低，低到发射过来的电子收集不过来（说法不太准确），此时集电极的电流就不会按照基极电流的比例增加（甚至不增加），这时三极管处饱和状态，所以三极管饱和的本质就是集电极收集电子的能力不足。
     说实话，你这个问题很难，原理是模电的范畴，还会涉及到电路、高数、半导体物理... 如果不是搞纯电路，没必要弄清楚原理，这会花费你大量的时间和精力。我只是简单解释了下，想了解具体一点，去看模电的前两章。

电子被吸收完了。主导是基极电流

本质就是电子的流动,由于PN结导通,电流通了,就这么简单

主导因素是基极电流

三极管饱和是指基极电流增大集电极电流不再增大。其本质有三极管本身的因素，如直流放大能力，也有环境因素，如集电极负载电阻等限制了集电极电流的进一步增大

是因为基极电流大而三极管的CE之间通过电流能力有限饱和了，要不然还区分什么小中大功率三极管？设计和制造因素决定了小中大功率。

三极管基极电流和基极压降达到平衡点

xianfajushi 发表于 2021-8-21 21:14
是因为基极电流大而三极管的CE之间通过电流能力有限饱和了，要不然还区分什么小中大功率三极管？设计和制造 ...

导线能过多大电流和接法加不加电阻都无关，能过多大电流是一定的，而这三级管的饱和电流还不是个定值，为什么呢

导线的能过多大电流和它什么接法或加不加电阻都没关，能过多大电流就是能过多大电流但三级管就不一祥了，即使同一三级管不同接法加不同电阻其饱和电流都不一样，这是为什么呢，

三极管是电流型器件，如 NPN三极管饱和条件，那BE电流到达一个定值时，饱和导通了，BE电压约0.7V以上，那么CE电压肯定小于0.4V（如果达到1V,2V,3V那肯定不是放大状态），实际CE导通后还存在一定的电阻值，三极管是欧姆级别，不像MOS毫欧级别。

饱和状态，因为发射结的正偏，所以发射区的大量电子被拉到了P区，这些电子在集电结内电场的作用下特别容易的流到了集电区，然后就形成了Ic，而当Ic并不能消耗足够多的从发射区拉到P区的电子的时候，P区就处于着电子过剩的状态，那么参考P型半导体和N型半导体的定义，相对于集电区来说，P区也变成N型半导体了，它们就成了一个整块半导体，集电结理论上就消失了。

结果就是电子流直接从发射区通过发射结，然后通过“基区集电区加起来的一整块半导体”，直接流到集电极引脚了，形成饱和电流。这时候三极管可以看成一个受控的二极管。饱和压降直接就等于Vbe了

这个问题需要一些理论分析才能清楚地回答。 简单地说，当基极 - 发射极和基极 - 集电极结都被正向偏置时，晶体管进入饱和状态。 因此，对于NPN型双极晶体管，如果集电极电压低于基极电压，发射极电压也低于基极电压，则晶体管处于饱和模式。 在饱和点，集电极电流的小部分取决于基极中有多少电荷载流子可以使它们进入集电极区，但集电极电流的大部分取决于来自发射区的电荷载流子。 因此，增加基极电流不能进一步增加集电极电流。

牛粪 发表于 2021-8-21 22:45
导线能过多大电流和接法加不加电阻都无关，能过多大电流是一定的，而这三级管的饱和电流还不是个定值， ...

你该去学三极管原理而不是来问电路不定问题

冰火风轮 发表于 2021-8-21 21:35
三极管基极电流和基极压降达到平衡点

具体一点呗

牛粪 发表于 2021-8-23 13:42
具体一点呗

具体请参考《模拟电子技术基础》这本书

幸亏楼主对MCU和DPS不感兴趣。

基础材料物理学,想研发材料?

三极管饱和的本质就是，基极的引导能力达到了最大。CE极可以通过管子设计允许值的最大电流。

饱和   就是说集电极和发射极之间的电压 Uce 小了     ，就像一个水龙头，虽然打开了，水压不够，流量达不到；   放大区域   是电压已经满足了    水龙头型号越粗   水管流量成倍增加