关于MOS管的漏电流

在微型可穿戴设备中，对于电池的功耗要求很高，所以为了省电，其实电路也是很多的，最省电的无疑就是直接断开电池的供电了

这种方案要用到一个NMOS和一个PMOS组合使用，NMOS作为下管控制PMOS的输出。

NMOS和PMOS本身也是需要消耗电流的，重点关注NMOS和PMOS的两个漏电流参数IGSS和IDSS，一般小于多少才算是极低的漏电流？

我看都是在1uA以上   最大   有没有更小的

这个是反映mos

这个是反映mos导通时的需要的电流电压吧，关机功耗与电路设计有关。

ucmic 发表于 2021-10-13 07:48
这个是反映mos导通时的需要的电流电压吧，关机功耗与电路设计有关。

看来你连规格书都没看懂 小朋友

那个是Vds=20V时候的电流,你电压Vds在3-5V时的漏电池就小了

hcfat51h 发表于 2021-10-14 12:16
那个是Vds=20V时候的电流,你电压Vds在3-5V时的漏电池就小了

取决于VGS&VDS？  还有Ron？