单片机+DS18B20写入一个字节数据程序的疑问

DS18B20 的位读写时序，如图：




当要给 DS18B20 写入 0 的时候，单片机直接将引脚拉低，持续时间大于 60us 小于 120us
就可以了。图上显示的意思是，单片机先拉低 15us 之后，DS18B20 会在从 15us 到 60us 之间
的时间来读取这一位，DS18B20 最早会在 15us 的时刻读取，典型值是在 30us 的时刻读取，
最多不会超过 60us，DS18B20 必然读取完毕，所以持续时间超过 60us 即可。
当要给 DS18B20 写入 1 的时候，单片机先将这个引脚拉低，拉低时间大于 1us，然后马
上释放总线，即拉高引脚，并且持续时间也要大于 60us。和写 0 类似的是，DS18B20 会在
15us 到 60us 之间来读取这个 1。

发送即写入一个字节的数据程序如下。
void Write18B20(unsigned char dat)
{
unsigned char mask;

EA = 0; //禁止总中断
for (mask=0x01; mask!=0; mask<<=1) //低位在先，依次移出 8 个 bit
{
IO_18B20 = 0; //产生 2us 低电平脉冲
_nop_();
_nop_();
if ((mask&dat) == 0) //输出该 bit 值
IO_18B20 = 0;
else
IO_18B20 = 1;
DelayX10us(6); //延时 60us
IO_18B20 = 1; //拉高通信引脚
}
EA = 1; //重新使能总中断
}

疑问：“单片机先拉低 15us 之后，DS18B20 会在从 15us 到 60us 之间
的时间来读取这一位，DS18B20 最早会在 15us 的时刻读取，典型值是在 30us 的时刻读取，
最多不会超过 60us，DS18B20 必然读取完毕，所以持续时间超过 60us 即可。”但程序没有反映出15us后读取0啊？按18B20要求，控制器写“0“和“1”的时序都不一样，但程序好像没有分开来写？

没看代码，直接看你的疑问。你表述DS18B20会在某时间读取一位，又表述程序没有反映出15us后读0，这明显自相矛盾。DS18B20在什么时间读MCU在线上发出的电平状态，为何需要在程序上反映呢？DS18B20读线上电平关MCU在线上发电平状态什么事儿？MCU只需要干自己的事就好了

qsssuv 发表于 2023-3-2 14:51
没看代码，直接看你的疑问。你表述DS18B20会在某时间读取一位，又表述程序没有反映出15us后读0，这明显自相 ...

这两句话怎么理解？程序好像并没有反应出来啊？
       1、当要给 DS18B20 写入 0 的时候，单片机直接将引脚拉低，持续时间大于 60us 小于 120us
就可以了。
       2、 当要给 DS18B20 写入 1 的时候，单片机先将这个引脚拉低，拉低时间大于 1us，然后马
上释放总线，即拉高引脚，并且持续时间也要大于 60us。
   

cwb2038 发表于 2023-3-2 15:05
这两句话怎么理解？程序好像并没有反应出来啊？
       1、当要给 DS18B20 写入 0 的时候，单片机直接将 ...

1. void Write18B20(unsigned char dat)
   
2. {
   
3. unsigned char mask;
   
4. 
   
5. EA = 0; //禁止总中断
   
6. for (mask=0x01; mask!=0; mask<<=1) //低位在先，依次移出 8 个 bit
   
7. {
   
8. IO_18B20 = 0; //产生 2us 低电平脉冲
   
9. _nop_();
   
10. _nop_();
    
11. if ((mask&dat) == 0) //输出该 bit 值
    
12. IO_18B20 = 0;//<<<<<<<<<<<1
    
13. else
    
14. IO_18B20 = 1;//<<<<<<<<<<<2
    
15. DelayX10us(6); //延时 60us
    
16. IO_18B20 = 1; //拉高通信引脚
    
17. }
    
18. EA = 1; //重新使能总中断
    
19. }
    

复制代码

cwb2038 发表于 2023-3-2 15:05
这两句话怎么理解？程序好像并没有反应出来啊？
       1、当要给 DS18B20 写入 0 的时候，单片机直接将 ...

简单的讲，写0就是一段持续60us~ 120us的低电平，写1就是一个至少1us的低电平，随后紧接着60us~ 120us的高电平。程序好像并没有反应出来1us的低电平延时是因为CPU执行两条语句的时间至少1us，不必单独写1us的低电平延时，如果加了一条_nop_();也无所谓。如果使用的高速单片机就要酌情加延时语句。

wulin 发表于 2023-3-3 07:21
简单的讲，写0就是一段持续60us~ 120us的低电平，写1就是一个至少1us的低电平，随后紧接着60us~ 120us的 ...

谢谢解答，有点理解了！