请教mos开通时g级电流一般多大

12v的mos管，一般开通的时候g级电流有多大？

可以说没有电流

MOS管g级相当于通过一个电阻给电容充电，初始电流有可能很大几十mA到几A都可能，但是时间很短一般小于1uS，完全导通后电流为0。比如电压10v，电阻100Ω，初始电流=10v/100=0.1A，导通时g级电压约2.5v，电流=7.5v/100=0.075A，如果是大电流MOS管，电压15v，电阻10Ω，导通时g级电压约2.5v，电流=12.5v/
10=1.25A。

MOS管是电压驱动型，G级电流极小，几乎为0。只有用作高速开关电路时才考虑结电容的存在需要较大的瞬时驱动电流。

那要看具体的充电参数，比如10V栅压50nC的，栅压0V上升到10V的时间对应驱动电流，10us-->5mA，1us-->50mA，0.1us-->500mA。

看手册啊，不同功率的不一样，大功率的还要小功率的推动呢。

MOSFET的G极静态电流是0，只有动态，也就是说G极电压变化的时候，必须考虑G极电容，才有电流。

一瞬间100ma-1A左右

MOS管是电压控制元件，理论上不需要G极电流或者G极电流可以忽略。但动态驱动时因为GS结电容的存在需要对结电容充电电流，当结电容充电到MOS管开启电压后MOS管导通。所以，MOS管需要的动态驱动电流实际上是给结电容充电电流。静态驱动基本上不需要电流

MOSFET栅极是靠电压工作的，而不是电流工作的，几乎没有电流流过MOSFET的栅极。

MOSFET需要驱动，开通瞬间需要一个大的冲击电流，特别是高频率驱动时，大的驱动电流可以减少MOS管的损耗，留意一下CISS这个输入电容的参数，越大需要的驱动电流越大。C是隔直的，楼上几位都说了。MOS和IGBT都有专门的驱动芯片，就可以理解这个问题了，驱动芯片的输出都是几百毫安到A级的。如果不是PWM驱动，只是开关，那随便了。驱动几个毫安也是可以的。

在不给定MOS管驱动脉冲频率的前提下谈MOS管的G极电流是没有意义的！高频脉冲需要很大的驱动电流，一般需要使用功率驱动芯片或者三极管提供几安培甚至十多安培驱动电流。低频或者静态条件下需要的驱动电流很小！

MOS属于电场控制器件，若是直流偏置的话，是无 电流的，
但由于GS GD之间有个结电容，高频交流时候会在这个结电容上有一个电流；

除去大家说的，还有一个因素得考虑，就是为了泄放掉栅极的电压（因为结电容的原因）一般栅极和源极之间会并接一个电阻（这个电阻的大小和要求的截止速度相关）这个电阻会对于驱动电路形成一些电流。

jlslwh 发表于 2023-10-3 18:15
除去大家说的，还有一个因素得考虑，就是为了泄放掉栅极的电压（因为结电容的原因）一般栅极和源极之间会并 ...

这个电阻在管子内部是不存在的。

MOS主要考虑的是动态电流，看别人的设计就可以发现，有采用二极管或者电容方式的驱动类型，并且还要并上一只电阻。平时见到的小功率充电器采用一只电阻驱动就可以了。

mos管有N-MOS, P-MOS之分, 一般用NMOS管, 尽量不用PMOS. NMOS导通电压可能比5V要高, 单片机就需要通过三极管提升电压来驱动MOS管. MOS的栅极与DS之间是高阻的, 高频使用时需要考虑栅极节电容.

需要的电流并不大，但是栅极有寄生电容，相当于给电容充电，在瞬态下充电电流会较大，要想更好的驱动，驱动电路要有很好的驱动能力，说白了就是充电时间和放电时间都要最短才好

如果只是单纯的开和关,那你可以认为它是不需要电流的
如果是PWM,那就得要电流+电压了,大多的驱动芯片都有0.2A以上驱动电流+10V驱动电压的

MOS的G极，你可以把它看成一个电容。每种MOS管子的输入电容都不一样。可以查表。

信息12mA

1528853327 发表于 2023-10-17 09:43
信息12mA

如果100KHz频率，12ma可以吗？

场效应管是电压控制器件，G极和其它极是绝缘的，所以没有G极电流，使用的时候注意G极的开通电压和关断电压在合适的范围就行。

mosfet的驅動電流大致上跟開關頻率成比例。

GS极等效一电容， 所以G极的电流，只有在输入信号状态变动时所产生瞬间RC充电电流， C多大可以在MOS管规格书查到， R就查看你的电路

MOS压动型，电流很小