三极管（NPN型）工作原理推想与猜测

基极与发射极间的PN节的耗尽区基本上把基区全部占有，Vbb应该不对集电极与基极间的PN节处的载流子起作用！因此只有当Vbb电压超过硅材料半导体势垒电压0.7V时，基极与发射极间的PN节才处于导通状态。在其处于导通状态下，整个三极管就相当于只有N型半导体，进而相当于一个导体，但又不完全等同于导体，原因在于基极与发射极界处的PN节的绝缘程度应该取决于Vbb的电压值。其电压在超过势垒电压的前提下，电压越高，导通情况越好，右侧电路电流阻力越小，电流越大！




         再者就是参考书中一再强调集电极电流Ic远大于基极电流Ib，乍看起来，还真是有点不可思议，好像不符合串联电路的电流规律！下面在以上猜想的基础上做以下解释：三极管内部导电不是完全由电子作为载流子的，本处以NPN型三极管为例，其基极多数载流子是空穴，发射极与集电极多数载流子是电子。发射极电子越过PN节，大部分进去基极内的空穴，一少部分拐入左侧电路流回发射极。那些进去空穴的大部分电子进去空穴后，由于基极非常薄，且掺杂程度较低，在其进去空穴的同时，集电极又将基极内与电子结合的空穴的电子抽出来，经右侧电路流回发射极。
         综上，基极的多数载流子——空穴就相当于“电子搬运者”。基极内大部分电子发生了电子传递，只有那些拐入左侧电路的电子才在基极内发生了电子流动！用参考书中的公式就是：Ie=Ic+Ib。其中的Ib就是基极里面的电流也是左侧电路里的电流！
        上面的解释可以用下图来类比：
         




         B容器相当于基极，A是发射极，C是集电极。由图知，B容器相当于只有一个承接的作用，其内部并没有发生水流的横向流动！
         以上只是我看三极管部分初步理解和推测！可能是对的！也可能错的！谁懂可以指教一下啊！