STM32F303使用片内的CCMRAM缩短代码执行时间

之前使用F4的时候就发现片内个CCMRAM区域可以用于内核直接读取，进而缩短减小等待时间。拿到F3后发现里面也有个CCMRAM，功能比F4的还强大，所以就准备测试下。
现在使用的F303RE内部有个16K的CCM直接和数据总线和指令总线相连，也就是说CPU能以最大的系统时钟和最小的等待时间从CCM中读取数据或者代码，这个CCM区域只能由CPU访问，DMA不能从CCM中读取数据。官方文档说明了使用CCM的一些优势：比如将频繁读取的数据放到CCM，将中断函数放到CCM，这都能加快程序的执行速度。

使用CCM的设置比较简单，首先编辑分散加载文件，将CCM区域加入到里面

下面手动编辑修改SCT文件，添加CCM部分到sct

下面将需要放到CCM内存的变量，数组，函数等的前面添加下面的关键字即可

1. CCMRAM void LED_Init(void)
   
2. {
   
3.     GPIO_InitTypeDef GPIO_InitStruct;
   
4. 
   
5.     RCC_AHBPeriphClockCmd(RCC_AHBPeriph_GPIOA, ENABLE);
   
6. 
   
7.     GPIO_InitStruct.GPIO_Pin = GPIO_Pin_5;
   
8.     GPIO_InitStruct.GPIO_Mode = GPIO_Mode_OUT;
   
9.     GPIO_InitStruct.GPIO_Speed = GPIO_Speed_50MHz;
   
10.     GPIO_InitStruct.GPIO_OType = GPIO_OType_PP;
    
11.     GPIO_Init(GPIOA, &GPIO_InitStruct);
    
12. }

复制代码

重新编译后，你就可以从MAP文件中看到相应的数组和函数被放到0x1000000开始的CCM区域，或者debug也能看到相应的地址，我们将数组和函数的地址发送到串口，可看到的确是在0x10000000之后。

刚才说了，F4系列也有个CCM的区域，测试完F3，我又测试下F4，比较悲剧的是只要把函数定义在CCM中程序就会Fault，只定义数组却没有问题，查看map文件，函数地址的确是被分配到了CCM，郁闷了几分钟，重新找到F429的RM，看下了总线矩阵图才发现原因。。。
下面是F429的总线：

下面的是F303RE的总线：

1. #include "eeprom.h"
   
2. #include "delay.h"
   
3. 
   
4. //2015-6-2 16:51:29
   
5. //by @creep
   
6. 
   
7. //设置EEPROM的大小为1K
   
8. //可根据实际调整大小
   
9. u16 STMFLASH_BUFF[STMFLASH_SIZE];
   
10. //要写数据的起始地址为0-STMFLASH_SIZE,类型为HalfWord类型
    
11. //只能写数据类型为HalfWord的数据到EEPROM 里面
    
12. void STMFLASH_Write(u16 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)
    
13. {
    
14.         u16 j;
    
15.         STMFLASH_Read_Backup();                                                                                                                        //读出备份区域的数据
    
16.         FLASH_Unlock();                                                                                     //解锁
    
17.         FLASH_ErasePage(FLASH_PAGE255_ADDR);                                                         //擦除第255页
    
18.         for(j=0;j<numtowrite;j++)
    
19.         {
    
20.                 STMFLASH_BUFF[j+WriteAddr] = *(pBuffer+j);                        //将数据写到数组中去
    
21.         }        
    
22.         STMFLASH_Write_NoErase();                                                                                                        //将数据写回到第255页中
    
23.         FLASH_Lock();                                                                                                                                                        //上锁        
    
24. }
    
25. //读取数据为字节类型
    
26. //将EEEPROM的1K字节读出来
    
27. void STMFLASH_Read_Backup(void)
    
28. {
    
29.         u16  t;
    
30.         for(t=0;t<stmflash_size;t++)
    
31.         {
    
32.                 *(STMFLASH_BUFF+t) = *(u16*)(FLASH_PAGE255_ADDR+t*2);               
    
33.         }        
    
34. }
    
35. //将EEPROM的1K的数组写回到第255页
    
36. //写数据前不擦除
    
37. void STMFLASH_Write_NoErase(void)
    
38. {
    
39.         u16 t;
    
40.         for(t=0;t<stmflash_size;t++)
    
41.         {               
    
42.                 FLASH_ProgramHalfWord(FLASH_PAGE255_ADDR+t*2,*(STMFLASH_BUFF+t));
    
43.         }        
    
44. }
    
45. //从eeprom中读数据
    
46. void STMFLASH_Read(u16 ReadAddr,u16 *pstr,u16 NumberToRead)
    
47. {
    
48.         u16 t;
    
49.         for(t=0;t<numbertoread;t++)
    
50.         {
    
51.                 *(pstr+t) = *(u16*)(FLASH_PAGE255_ADDR+ReadAddr+t*2);        
    
52.         }
    
53. }
    

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F303RE测试代码：
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官方使用文档：
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非常好的东 西 ，谢谢，楼主好人