D极不是接输入。 栅极 G接输入
单片机驱动mosfet一般都需要隔离的，因为工作电压差别比较大，而且单片机一般是5V以下，很多mosfet的驱动电压要求10V以上才能完全导通
用单片机直接驱动MOSFET,要求逻辑电平驱动MOSFET
NMOS晶体管的工作原理：
在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底（提供大量可以动空穴）上，制作两个高掺杂浓度的N+区(N+区域中有大量为电流流动提供自由电子的电子源)，并用金属铝引出两个电极，分别作漏极D和源极S。然后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层，在漏——源极间的绝缘层上再装上一个铝电极（通常是多晶硅）,作为栅极G。在衬底上也引出一个电极B，这就构成了一个N沟道增强型MOS管。MOS管的源极和衬底通常是接在一起的。
源极接地，电压为0，当栅极（即图中右眼驱动1）的电压大于开启电压Vth（一般为2V）时，就可在源漏之间形成导电沟道，产生电流。
有加那个下拉电阻 10K。
图中的管子就是NMOS管了，源极接地，栅极接输入电压，栅压高于源压，电灯接在电源和漏极（或输出）之间，这就是所谓的共源放大器（相当于三极管中的共射放大器）。
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