51单片机内部资源详解
1、整体简介
2、端口
3、定时器
4、串口
5、中断
原因：
如果此时该端口的负载恰是一个晶体管基极，且原端口输出值为1，那么导通了的PN结会把端口引脚高电平拉低；若此时直接读端口引脚信号，将会把原输出的“1”电平误读为“0”电平。现采用读输出锁存器代替读引脚，图中，上面的三态缓冲器就为读锁存器Q端信号而设，读输出锁存器可避免上述可能发生的错误。
准双向口 从图中可以看出，在读入端口数据时，由于输出驱动FET并接在引脚上，如果T2导通，就会将输入的高电平拉成低电平，产生误读。所以在端口进行输入操作前，应先向端口锁存器写“1”，使T2截止，引脚处于悬浮状态，变为高阻抗输入。这就是所谓的准双向口。
端口的负载能力和接口要求
P0口的输出级无上拉电阻。当输出要去驱动NMOS（N沟道增强型场效应管）等负载时，需外接上拉电阻，这时才有高电平输出；作为输入用时，需向端口写“1”；作为地址/数据总线用时，无需外接上拉电阻。
P0口的每一位口线可驱动8个LS型TTL负载。
1. P0口
2. P1~P3口
• P1~P3口都是准双向口，作为输入用时，必须向相应的端口写“1”；
• P1~P3口内部有上拉电阻，其每一位口线可驱动4个LS型TTL负载。
P0口的驱动能力较大，当其输出高电平时， 可提供400mA的电流（“拉电流”）；当其输出低电平（0.45V）时，则可提供3mA左右 的“灌电流”。
P1、P2、P3口的每一位只能驱动4个LSTTL， 即可提供的电流只有P0口的一半。所以，任何一个口要想获得较大的驱动能力，只能用低电平输出。
P1、P3口的驱动能力有限，在低电平输出时，一般也只能提供不到2mA的“灌电流”。
还有关于寄存器的介绍与使用及编程教程请从附件下载
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