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FNB3210 The FNB3210 is a single Phase MOSFET gate driver optimized to drive the gates of both high-side and low-side power MOSFETs. The integrated bootstrap diode reduces external component count. With a wide operating voltage range, high or low side MOSFET gate drive voltage can be optimized for the best efficiency. Internal adaptive nonoverlap circuit further reduces switching losses by preventing simultaneous conduction of both MOSFETs. The UVLO circuits prevent malfunction when VCC is lower than the specified threshold voltage. Wireless Charger for 5W to 20W Systems Half or full bridge driver for N+N MOSFET
马达驱动电路 DW7888
概述 DW7888 是一款 DC 双向马达驱动电路，它适用于玩具等类的电机驱动、自动阀门电机驱动、电磁门锁驱动 等。它有两个逻辑输入端子用来控制电机前进、后退及制动。该电路具有良好的抗干扰性，微小的待机电流、 低的输出内阻，同时，它还具有内置二极管能释放感性负载的反向冲击电流。
特性 ●微小的待机电流 (小于 2uA)； ●工作电压范围宽：2.0V~9.6V； ●有刹车功能； ●有过热保护功能； ●有过流嵌流及短路保护功能；
典型应用 ●玩具类的电机驱动; ●自动阀门电机驱动; ●电磁门锁驱动。
MX2113
特性
BOST 二极管击穿电压 50V — 可安全应用于 36V 供电系统中 高峰值电流输出能力 — 峰值输出电流 1.7A — 带 2.2nF 负载上升时间 58ns — 峰值吸入电流 2.3A — 带 2.2nF 负载下降时间 19.7ns 内部集成 50V 耐压自举二极管 — 无需外接自举二极管 输入引脚内置下拉电阻 — 集成 110K 对地下拉电阻 — 输入信号兼容 3.3V/5V CMOS 输入 多种防共态导通技术 — 对输入信号进行逻辑运算，使能信号为高 时，HO/LO 输出电平相反，避免出现 HO、 LO 同时输出高电平 — 内部设置 38ns 死区时间 — 检测 HO、 LO 口状态，反馈给逻辑电路，避 免出现 HO、LO 同时输出高电平
说明
MX2113 是为使用双 N 沟道 VDMOS 功率管的桥式 电路设计的功率管栅极驱动 IC，可应用于直流有 刷、直流无刷电机以及类似感性负载的驱动电路 中。 芯片的输入信号 IN 和使能信号 EN 控制高边驱动电 路输出(HO)和低边驱动电路输出(LO)。芯片设计了 驱动输出信号(HO、LO) 状态检测电路，将输出信号 的状态反馈到内部逻辑，可有效避免出现高边、低 边功率管同时导通的情况。此外，内部还设计有约 38ns死区时间，功率管开关速度小于 100ns 的应用 中，单片机输出信号可以不考虑死区时间设置。 芯片内部没有设计欠压锁定电路，可自行通过单片 机灵活设置电压保护点
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