单片机的程序烧录进去以后，不是数据部分写进去RAM中了吗？掉电不应该丢失吗？

ID:329253 · 发表于 2018-5-14 00:27

一个迷惑:单片机的程序烧录进去以后，不是数据部分写进去RAM中了吗？掉电不应该丢失吗？为什么每次一开机之后，还是可以正常的像断电之前一样，可以正常工作呀？

ID:329253 · 发表于 2018-5-14 08:21

麻烦各位帮我看看，小弟在此非常感谢

ID:164602 · 发表于 2018-5-14 08:50

你理解有错误！
随程序写入的有两种数据：
第一种：变量赋值，这种变量的值，是在RAM中的，并可以随程序的执行变化。但，只要你一开机上电，程序就会执行程序中的赋值语句，这个变量就以有初值了，所以不会“丢失”。所以，这样的程序现象就是：不论你什么时间开机、开机多少次了，程序执行现象是一样的。
第二种：强制写入ROM的数据，单片机C语言中，有这样的“变量”——程序中要定义变量名，但值却是不能变化的数据，如数码管显示的段码、占阵显示的编码等，这类“变量”，会用“code”强制写入ROM，这个就是不变的变量了，当然也是不会丢失的。

ID:329253 · 发表于 2018-5-14 10:25

HC6800-ES-V2.0 发表于 2018-5-14 08:50
你理解有错误！
随程序写入的有两种数据：
第一种：变量赋值，这种变量的值，是在RAM中的，并可以随程序 ...

太感谢你了，真的，你让我明白了这段时间的困惑，谢谢你
然后就是我现在还想问一下，现在的单片机内部的ROM是不是都是EEPROM了呀？

ID:329602 · 发表于 2018-5-14 15:49

会有掉电保护的功能

ID:329910 · 发表于 2018-5-14 21:08

现在的单片机内部的ROM是不是都是EEPROM了呀？还有FLASH ROM，不单只有EEPROM一种

ID:155507 · 发表于 2018-5-14 21:28

ROM写周期较慢，好处是断电不丢失，即所谓非易失性存储器，ROM有早期的EPROM需要紫外线擦写，后来EEPROM电擦写、最近的FLASH“快速电擦写”——当然速度还是不如RAM快。ROM有擦除寿命1万到10万次。
还有一种是兼具RAM和ROM特点的“铁电存储器”——FRAM,也属非易失性存储器，但拥有RAM般的读写速度。但目前价格较高。

无ROM的51单片机有：8031等
有ROM的51单片机有：8051等
有EPROM的51单片机有：8751等
有EEPROM的51单片机有：AT89C51等
有FLASH可进行ISP功能的51单片机有AT89S51、STC系列等。
现在还有具有IAP功能的51单片机，如STC15XXXX部分单片机等。

ID:329253 · 发表于 2018-5-14 21:46

橙子Carr 发表于 2018-5-14 21:08
现在的单片机内部的ROM是不是都是EEPROM了呀？还有FLASH ROM，不单只有EEPROM一种

谢谢，太感谢你了

ID:329253 · 发表于 2018-5-15 00:37

angmall 发表于 2018-5-14 21:28
ROM写周期较慢，好处是断电不丢失，即所谓非易失性存储器，ROM有早期的EPROM需要紫外线擦写，后来EEPROM电 ...

感谢，你们太好了

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