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STM8S和STM8A入门学习资料下载(共40页pdf)

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ID:334228 发表于 2018-5-20 15:36 | 显示全部楼层 |阅读模式
STM8S-和-STM8A-入门
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电源概述

该器件可以通过一个外部的 3.0 V 到 5.5 V 电源供电。一个片上电源管理系统提供了到内核逻辑的 1.8 V 数字电源,具有正常和低功耗两种工作模式。它也能够检测主要的外部电源(3.3 V/5 V) 和内部电源 (1.8 V) 上面的电压跌落。

该器件提供: 一对 VDD/VSS (3.3 V ± 0.3 V到 5 V ± 0.5 V)焊盘专门用于主稳压器镇流器晶体管供电。

两对 VDD_IO/VSS_IO(3.3 V ± 0.3 V 到 5 V ± 0.5 V)专用焊盘,只用于I/O 的供电。在 32引脚封装上,只绑定了一对引脚。
对于临近 VDD/VSS 的 VDDIO/VSSIO,建议将两对连接到一起,同时只使用一个去耦电容。目的是通过减少电源之间以及 VDD/VDDIO 和电容之间的连接线长度,以确保好的抗噪性能。 一对专门用于模拟功能供电的 VDDA/VSSA(3.3 V ± 0.3 V 到 5 V ± 0.5 V)焊盘。更多详
细信息,请参见第 3 节: 模数转换器(ADC)第 10 页。
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电容必须尽可能靠近器件电源连接 (特别是在 VDD 有专用地平面的情况下)。
可选择在 OSCIN/OSCOUT 上放置一个晶体 / 谐振器。谐振器必须尽可能靠近 OSCIN 和
OSCOUT 引脚连接。负载电容地必须尽可能靠近 VSS 连接。

主工作电压
STM8S 和 STM8A 器件采用 0.13 µm 工艺制作。 STM8S和 STM8A 内核以及 I/O 外设需要不同的电源供电。实际上,STM8S 和 STM8A 器件有一个标称目标输出为 1.8 V的内部稳压器。

主调压器的稳定性是通过将外部电容 CEXT 连接到VCAP 引脚实现的。更多关于 VCAP 电容特性的信息,请参考 STM8S或 STM8A 数据手册。要注意将电容的串联等效电感限制在 15 nH 以下。

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上电 /掉电复位 (POR/PDR)
对主调压器和低功耗调压器的输入供电由上电 / 掉电复位电路监控。监控电压范围为 0.7 V到 2.7 V。
在上电过程中时, POR/PDR 保持器件处于复位,直到电源电压(VDD 和 VDDIO)达到它们指定的工作区域。
在开机时,应维持一个 0.7 V以下的预定义复位。复位释放的上限在产品数据手册的电气特性一节中定义。
迟滞 (POR > PDR) 用以确保准确检测电压上升和下降。
当电源电压下降到 VPOR/PDR 门限值(孤立和重复的事件)以下时, POR/PDR 也会产生一个复位。

建议
所有的引脚需要正确地连接到电源上。这些连接,包括焊盘、线和过孔,都应该有尽可能低的阻抗。典型情况下,这可通过使用粗的线宽做到,最好在多层印刷电路板 (PCB) 中使用专用供电层。
此外,每个供电电源对都应使用滤波陶瓷电容(100nF)和化学电容 (1..2 µF)去耦,它们与STM8S 或 STM8A 器件并联。这些陶瓷电容应放置在PCB 另一侧尽可能接近或低于适当引脚的位置。其典型值为 10 nF 至 100 nF,但准确值取决于应用需要。图 3 显示了这种V dd/Vss 对的典型布局。
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ID:72181 发表于 2018-12-22 22:01 | 显示全部楼层
学习一下,,,
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ID:202803 发表于 2019-6-4 10:27 | 显示全部楼层
不错,学习了,加油
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ID:124631 发表于 2019-10-8 08:50 | 显示全部楼层
最近急需
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