对GaN的Application部分进行了翻译，供大家参考
GaN系统增强型HEMT没有内在的二极管而且反向恢复损耗很小，这些设备能够自然进行反向传导，而且根据门极电压展现出不同的特点。对于GaN系统晶体管来说，反平行二极管是不需要的，因为IGBT可以实现反向导电性能。
通路状态：GaN系统增强型HEMT在通路状态下反向传导特性和硅MOSFET 相似，I-V曲线关于原点对称，它显示了一个通道电阻RDS(on),类似于正向传导操作。
断开状态：因为GaN没有内部二极管，断开状态下的反向特性和硅MOSFET不同。在相反方向上，当栅极电压相对于漏极超过栅极阈值电压时，器件开始传导。这时该装置具有通道电阻，可作为有着略高VF且没有反向恢复损耗的“体二极管”。
如果在断开状态下使用负栅电压，则源漏电压必须比VGS(th)+VGS(off)较高，才能打开设备。因此，负栅电压将增加反向电压降，从而增加反向传导损耗。
阻塞电压
阻塞电压等级BVDS是由漏电流定义的。不可恢复击穿电压大约比额定阻塞电压高30%。一般来说，最大的漏极电压应该与硅mosfet类似的方式去降级。所有的GaN E-HEMT不会发生雪崩，因此不会有雪崩击穿等级。绝对最大漏源电压为100V，不随负栅电压变化。
包装与出售
包装材料是高温环氧基PCB材料，与FR4相似，但温度较高。这使得我们的设备指定到150°C。 该装置能处理至少3个回流循环。
建议在IPC/JEDEC J-STD-020 REV .1(2008年3月)中使用reflow配置文件。
无铅的基本温度组件：
预热/浸泡：60-120，最低温度=150°C 最高温=200°C
回流:增加率最大3°C /秒。峰值温度为260°C和时间在5°C的峰值温度是30秒。
冷却:缓降率最大6°C /秒。
使用“非清洁”焊锡膏并在高温下操作，可能会导致“非清洁”磁通残差的重新激活，可能会产生不需要的传导路径。所以，当产品运行温度大于100°C时，建议也清洗“非清洁”粘贴残留物。
全部资料51hei下载地址：
GS66502B DS Rev 171101.pdf
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(12.46 KB, 下载次数: 6)
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