25Q64是64Mbit闪存芯片 可以写入8M程序
该存储器分为：
8,388,608字节
统一部门架构
64千字节128块
4 KB2048个扇区
32768页（每页256字节）
每一页都可以单独编程（位从1编程为0）.该设备部门 阻止或芯片擦除而不是页面可擦除.
25Q64引脚图：
25Q64管脚功能定义：
25Q64电路原理图：
概述
该EN25Q64是一个64兆位（8192K字节）串行闪存,具有先进写防护护机制.所述EN25Q64支持标准串行外围接口（SPI）,和一个高性能双输出和四I / O使用SPI接口：串行时钟,片选,串行DQDQ1(DO), DQ 2（WP＃）和DQ 3（NC）.高达50MHz SPI时钟频率被支持,允许为100MHz时使用等效时钟速率双输出和200MHz为四路输出
双核/四输出快速阅读说明.该内存可以被编程为1〜256个字节时间,使用页面编程指令.
该EN25Q64被设计为允许任何单 扇区/块 在同一时间或整片擦除操作.该EN25Q64可以被配置为防护护存储器作为软件防护护模式一部分.装置能够维持最低100K编程/擦除每一个扇区周期或块
信号描述
串行数据输入 串行数据输入,输出和 输出和IO（ （DI,DO和 和DQ 0, DQ1, DQ2, DQ3)
该EN25Q64支持标准SPI,双SPI和四SPI操作.标准SPI指令使用单向DI（输入）引脚串行写指令,地址或数据设备上串行时钟（CLK）输入引脚上升沿.标准SPI还使用单向DO（输出）,以从在下降沿CLK设备读取数据或状态.
双重和四SPI指令使用双向IO管脚以串行写指令,地址或数据到装置在CLK上升沿和从设备中读取在CLK下降沿数据或状态.
串行时钟（ 串行时钟（CLK） ）
SPI串行时钟输入（CLK）引脚提供串行输入和输出操作时机. （"看到SPI模式"）片选（ 片选（CS＃） ＃）
SPI片选（CS＃）引脚可启用和禁用设备操作.当CS＃为高器件
取消和串行数据输出（DO,还是DQ 0, DQ 1, DQ 2 和DQ 3）引脚为高阻抗.
取消选中时,器件功耗会在待机状态下水平,除非内部擦除,编程和状态寄存器周期正在进行中
.当CS＃被拉低该装置将被选择,功率消耗将增加至活性水平与指示可以写入和从所述设备读取数据.上电后,CS＃必须从高过渡到低之前,新指令将被接受.
写防护护（ 写防护护（WP＃） ＃）
写防护护（WP＃）引脚可用于防止状态寄存器被写入.用于与状态一起注册块防护护（BP0,BP1,BP2和BP3）位和状态寄存器防护护（SRP）位,部分或整个存储器阵列可以是硬件防护护.该WP＃功能仅适用于标准SPI和双SPI操作,当在四路SPI,该引脚为串行数据IO（DQ 2）为四I / O操作.
特征
单电源工作
- 全电压范围：2.7-3.6伏
串行接口架构
- SPI兼容：模式0和模式3
64 M位串行闪存
- 64 M位/ 8192 K-字节/ 32768页
- 每可编程页256字节
标准,双核或四SPI
标准SPI：CLK,CS＃,DI,DO,WP＃
双SPI：CLK,CS＃,DQ 0, DQ 1, WP#
四路SPI：CLK,CS＃,DQ 0, DQ1, DQ2, DQ3
高性能
104MHz时钟速率为一个数据位
50MHz时钟速率为两个数据位
50MHz时钟速率为四个数据位
低功耗
- 19 mA典型工作电流
- 1 A 典型掉电电流
统一部门架构：
4 KB2048个扇区
64千字节128块
任何扇区或块可以单独被删除
软件和硬件写防护护：
- 通过写防护护所有或存储器部分
软件
- 启用/禁用防护护与WP＃引脚
高性能编程/擦除速度
页编程时间：1.3ms典型
扇区擦除时间：90ms典型
块擦除时间为500ms典型
芯片擦除时间：30秒典型
写暂停和写简历
可锁定512字节OTP安全部门
最低100K耐久性周期
封装选项
8引脚SOP 200mil体宽
8接触VDFN（5x6mm）
8接触VDFN（6x8mm）
16引脚SOP 300MIL体宽
所有无铅封装符合RoHS标准
完整的pdf格式25Q64中文资料文档51黑下载地址：
EN25Q64中文资料(Eon-Silicon)中文数据手册.pdf
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