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DS18B20默认是12位精度的，就是*0.0625，时间太长的，我想改与0.5精度的，就是9位数。开发板原程序是没有问题的，我摸了几天我怎改也不行。
下面是百度找的。bbs.elecfans点com/jishu_1532799_1_1.html
第二：高速暂存RAM及RAM操作指令
1、高速暂存RAM
在执行完ROM操作命令后，我们需要进行的就是RAM操作命令，我们先来认识一下高速暂存RAM。暂存器由9个字节组成。
第1第2两个字节包含测得温度信息，温度传感器（温度灵敏元件）测得的温度值被存储到高速暂存器的这两个字节（温度寄存器）。
以12位精度存储温度，最高位为符号位，负温度S=1，正温度S=0。将存储器中的二进制数求补再转换成十进制数乘以精度（0.5、0.25、0.0625）就得到被测温度值。如0550H为+85℃，0191H为
+25.0625℃，FC90H为-55℃，上电初始为+85℃。第3和第4个字节是 TH 和 TL 的易失性拷贝（从EEPROM拷贝到高速暂存器这两个字节），在每一次上电复位时被刷新；
第5个字节是配置寄存器，如图，用户可按照“温度计精确度配置”表，来修改R1R2的值，来设定DS18B20的精度，上电默认设置R1R0=11（12位精度），配置寄存器的其他为均保留，禁止写入；
第6、7、8字节被保留，禁止写入；
第9个字节是只读的，包含以上八个字节的CRC码；
2、RAM操作指令
再看一下RAM操作指令（功能指令）
在发送ROM操作指令后，下一步需要进行RAM操作指令。这些指令允许总线控制器读写DS18B20的暂存器，发起温度转换和识别电源模式。DS18B20的功能指令详见下文。
CONVERTT [44h] (温度转换指令)
这条命令用以启动一次温度转换。温度转换指令被执行，产生的温度转换结果数据以2个字节的形式被存储在高速暂存器中，而后DS18B20保持等待状态。如果寄生电源模式下发出该命令后，在温度转换期间（tconv），必须在10us(最多)内给单总线一个强上拉。如果DS18B20以外部电源供电，总线控制器在发出该命令后跟着发出读时序，DS18B20如处于转换中，将在总线上返回 0，若温度转换完成，则返回 1。寄生电源模式下，总线被强上拉拉高前这样的通讯技术不会被使用。
WRITESCRATCHPAD [4Eh] （写暂存器指令）
这条命令向 DS18B20 的暂存器写入数据，开始位置在 TH 寄存器（暂存器的第 2个字节），接下来写入 TL 寄存器（暂存器的第 3 个字节），最后写入配置寄存器（暂存器的第 4 个字节）。数据以最低有效位开始传送。上述三个字节的写入必须发生在总线控制器发出复位命令前，否则会中止写入。
下面红色的是我自己改写加上去的，不行。
void Ds18b20ChangTemp()
{
Ds18b20Init(); //初始化
Delay1ms(1);
Ds18b20WriteByte(0xcc); //跳过ROM操作命令
Ds18b20WriteByte(0x4e); //写暂存器指令4E
Ds18b20WriteByte(0x4b); //写高速缓存器TH高温限值75度
Ds18b20WriteByte(0x0f); //写高速缓存器TL低温限值15度
Ds18b20WriteByte(0x1f); //写配置寄存器4 0001 1111 精度为0.5
Ds18b20Init();
Delay1ms(1);
Ds18b20WriteByte(0xcc); //跳过ROM操作命令
Ds18b20WriteByte(0x44); //温度转换命令
//Delay1ms(100); //等待转换成功，而如果你是一直刷着的话，就不用这个延时了
}
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