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硅基成电路设计PPT课件下载

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ID:406598 发表于 2018-11-12 20:49 | 显示全部楼层 |阅读模式
硅基成电路工艺基础  共九章  很详细的!
        本课程主要讲述硅集成电路制造的各单项工艺,介绍各项工艺的物理基础和基本原理,主要内容包括硅的晶体结构、氧化、扩散、离子注入、物理气相沉积、化学气相沉积、外延、光刻与刻蚀、金属化与多层互连,最后简要介绍集成电路的工艺集成。
        本课程也是从事微电子相关领域(如太阳电池、半导体器件、激光器、LED和TFT等)的研究和工作的基础课程。

通过学习本课程,可以:
    了解并掌握常用的半导体工艺技术;
    能够简要叙述集成电路每一个工艺过程;
    了解基本的集成电路制备过程;
    能够从事半导体工艺相关的工作。

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外延:是指在单晶衬底(如硅片)上,按衬底晶向生长单晶薄膜的工艺过程。生长有外延层的硅片称为外延片。
同质外延:生长的外延层和衬底是同一种材料。
异质外延:外延生长的薄膜与衬底材料不同,或者生长化学组分、物理结构与衬底完全不同的外延层,如SOS 技术(在蓝宝石或尖晶石上生长硅)。
根据向衬底输送原子的方式,外延生长分为三种类型:
气相外延(VPE)、液相外延(LPE)和固相外延(SPE)。
在硅工艺中主要采用气相外延技术,能够很好地控制外延层厚度、杂质浓度、晶体完整性。缺点是必须在高温下进行,加重了扩散效应和自掺杂效应,影响对外延层掺杂的控制。  
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硅集成课件.rar (16.59 MB, 下载次数: 8)
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