MOS管（场效应管）对比三极管的优势（一）

现如今，MOS管（场效应管）逐渐成为了三极管的替代品。其实三极管并不是不能满足电子设备的基本需求，有些产品是需要MOS管上所具备的特性才能更好的使用，也就是说，使用MOS管生产的电子产品将会更优质，那是什么原因导致它能够更加优秀呢？

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2019-1-4 15:20 上传

实际上MOS管的源极S、栅极G、漏极D分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似，而在作用原理上却又大不相同。MOS管是电压控制电流器件，由VGS控制ID，普通的晶体三极管是电流控制电流器件，由IB控制IC。

1、MOS管没有二次击穿现象，可见采用MOS管作为开关管，其开关管的损坏率大幅度的降低，近两年电视机开关电源采用MOS管代替过去的普通晶体三极管后，开关管损坏率大大降低也是一个极好的证明。

2、MOS管栅极和其它电极是绝缘的，不产生电流；而三极管工作时基极电流IB决定集电极电流IC。因此场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻高的多。

3、MOS管只有多数载流子参与导电；三极管有多数载流子和少数载流子两种载流子参与导电，因少数载流子浓度受温度、辐射等因素影响较大，所以场效应管比三极管的温度稳定性好。

4、MOS管在源极未与衬底连在一起时，源极和漏极可以互换使用，且特性变化不大，而三极管的集电极与发射极互换使用时，其特性差异很大，b 值将减小很多。

5、MOS管的噪声系数很小，在低噪声放大电路的输入级及要求信噪比较高的电路中要选用场效应管。