常用的步进驱动芯片，对新手有帮助！
THB6128应用电路图:
一、 特性：
● 双全桥 MOSFET 驱动，低导通电阻 Ron＝0.55Ω
● 最高耐压 36VDC，大电流2.2A（峰值）
● 多种细分可选（1、1/2、1/4、1/8、1/16、1/32、1/64、1/128）
● 自动半流锁定功能
● 快衰、慢衰、混合式衰减三种衰减方式可选
● 内置温度保护及过流保护
THB6128引脚图
五、 使用说明
1、细分设定（M1、M2、M3）
2、衰减模式设定
PDT 为衰减方式控制端，调节此端电压可以选择不同的衰减方式，从而获得更好的驱动效果。
3、电流设定
VREF 电流设定端，调整此端电压即可设定驱动电流值
Io（100%）=VREF*（1/5）*（1/Rs） Rs为 NFA(B)外接检测电阻
(例)VREF=1.5V、Rs 电阻为0.3Ω时，设定电流为：
Iout = (1.5V／5) ／ 0.3Ω = 1.0A
4、待机功能（Standby）
ST/VCC端子为 Low时，IC 进入待机模式，所有的逻辑被重置，输出为 OFF。ST/VCC 端子为 High 时解除待机模式。
5、CLK 脉冲输入端
6、CW/CCW：电机正反转控制端
CW/CCW为 Low 时，电机正转
CW/CCW为 High 时，电机反转
7、RESTER：上电复位端
RESET 端子为 Low 时，输出为初始模式。励磁位置不再与 CLK、CW/CCW端子关联，而被固定在初始位置。初识位置时，MO 端子输出 L。(Open Drain 连接)
8、ENABLE：使能端
ENABLE 端子为 Low 时，输出强制 OFF，为高阻状态。但是，由于内部逻辑电路仍在动作，如果在 CLK端子输入信号，励磁位置仍在进行。因此，将 ENABLE 重新置为 High 时，根据 CLK输入，遵循进行的励磁位置的 level 输出。
9、DOWN、MO 输出端
输出端子为 Open Drain 连接。各端子在设定状态下 ON，输出 Low Level。
10、斩波频率设定功能
斩波频率由 OSC1 端子端子-GND间连接的电容，依据下面的公式设定。
11、输出短路保护电路
该 IC 为防止对电源或对地短路导致 IC 损坏的情况，内置了短路保护电路，使输出置于待机模式。检测出输出短路状态时，短路检出电路动作，一度输出 OFF。此后，Timer Latch时间（typ:256uS）之后再度输出 ON，如果输出仍然短路的话，将输出固定于待机模式。 由输出短路保护电路动作而使输出固定于待机模式的场合，通过使 ST＝“L”可以解除锁定。
单片机程序:http://www.51hei.com/bbs/dpj-192620-1.html
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