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N沟MOS管与P沟MOS管的区别,助工程师更好选择MOS管!

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渐行渐远d 发表于 2019-1-24 17:53 | 显示全部楼层 |阅读模式
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区别一:导通特性


N沟MOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到4V或10V就可以了。而PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。



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区别二:MOS开关管损失


不管是N沟MOS还是P沟MOS,导通后都有导通电阻存在,这样电流就会在这个电阻上消耗能量,这部分消耗的能量叫做导通损耗。而选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗,且现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右,也有几毫欧。除此之外,MOS在导通和截止的时候,一定不是在瞬间完成的,这是有一个下降的过程,流过的电流也有一个上升的过程。


在这段时间内,MOS管的损失是电压和电流的乘积,叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多,而且开关频率越高,损失也越大。导通瞬间电压和电流的乘积很大,造成的损失也就很大,所以缩短开关时间,减小每次导通时的损失;降低开关频率,可以减小单位时间内的开关次数。



区别三:MOS管使用


P沟MOS管的空穴迁移率低,因而在MOS管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下,PMOS管的跨导小于N沟MOS管。此外,P沟MOS管阈值电压的绝对值偏高,要求有较高的工作电压。PMOS因逻辑摆幅大,充电放电过程长,加之器件跨导小,所以工作速度更低,在N沟MOS管出现之后,多数已为NMOS管所取代。只是,因P沟MOS管工艺简单,价格便宜,有些中规模和小规模数字控制电路仍采用PMOS电路技术。

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dzljp 发表于 2019-1-24 21:28 | 显示全部楼层
不错,不错。
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tieq1952 发表于 2019-1-25 10:12 | 显示全部楼层
谢谢分享!!!
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新手勇往直前 发表于 2019-3-22 11:32 来自手机 | 显示全部楼层
学习了,谢谢分享
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